為實(shí)現(xiàn)100A級(jí)二極管續(xù)流能力而采用多管并聯(lián)，是否正讓您的設(shè)計(jì)陷入均流調(diào)試、布局復(fù)雜和可靠性擔(dān)憂的困境？愛(ài)仕特科技量產(chǎn)推出的 ASC100D1200DT2（1200V/100A SiC肖特基二極管），以單管實(shí)現(xiàn)百安通流，直擊多管并聯(lián)核心痛點(diǎn)，助力工程師打造更簡(jiǎn)潔、更穩(wěn)健的高功率系統(tǒng)。
ASC100D1200DT2介紹， ASC100D1200DT2關(guān)鍵參數(shù) 。
碳 碳化硅（SiC）Schottky diode具有抗浪涌電流能力強(qiáng)、高溫反向漏電低、低正向?qū)▔航怠⒘惴聪蚧謴?fù)、175℃工作結(jié)溫等特性。 單管解決方案的直接優(yōu)勢(shì) 直接替代，消除并聯(lián)風(fēng)險(xiǎn) 顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與采購(gòu) 1：PCB布局極大簡(jiǎn)化：節(jié)省寶貴的板卡面積，減少驅(qū)動(dòng)回路和均流電阻等外圍元件，降低布線復(fù)雜度。 2： 供應(yīng)鏈管理更高效：BOM器件數(shù)量減少，采購(gòu)、備料和生產(chǎn)貼裝流程得以簡(jiǎn)化。 優(yōu)異的散熱與通流能力 1：TO247-2封裝為單芯大電流優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供優(yōu)良的散熱路徑。 2：結(jié)溫耐受175℃，高結(jié)溫下仍能保證出色的電流輸出能力，提升系統(tǒng)整體魯棒性和過(guò)載潛力。 告別并聯(lián)時(shí)代的困擾對(duì)比多管并聯(lián)方案的核心優(yōu)勢(shì)
碳化硅材料帶來(lái)的性能提升 • 零反向恢復(fù)損耗 (Qrr≈0)：徹底消除開(kāi)關(guān)損耗尖峰，提升系統(tǒng)效率（尤其在高頻應(yīng)用中），并減小開(kāi)關(guān)應(yīng)力。 • 高溫特性?xún)?yōu)異：支持更高環(huán)境溫度運(yùn)行，有助于減小散熱器尺寸或提升輸出功率。 ASC100D1200DT2的核心價(jià)值在于其自身的高電流密度特性，它為系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供了更優(yōu)的基礎(chǔ)選項(xiàng)： 提升可靠性 • 通過(guò)“減法”消除多管并聯(lián)這一重大風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì) • 讓工程師專(zhuān)注于拓?fù)浜蛣?chuàng)新，而非繁瑣的并聯(lián)調(diào)試。 釋放潛力 • 憑借碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)，為系統(tǒng)的高效、高頻、高溫運(yùn)行奠定基礎(chǔ)。 它代表了從“如何實(shí)現(xiàn)大電流”到“如何更好地利用大電流”的設(shè)計(jì)思維轉(zhuǎn)變。 碳化硅肖特基二極管的亮點(diǎn)表現(xiàn)： 更高電流密度、更低Qc：第三代二極管具有更高電流密度、更低Qc，使其在真實(shí)應(yīng)用環(huán)境中開(kāi)關(guān)損耗更低。 更強(qiáng)浪涌能力：通過(guò)工藝及設(shè)計(jì)迭代優(yōu)化，第三代二極管實(shí)現(xiàn)了更高的浪涌能力。 更低成本：更高的電流密度帶來(lái)更小的芯片面積，使得器件成本較前兩代二極管進(jìn)一步降低。 更高產(chǎn)量： 使用6英寸晶圓平臺(tái)，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺(tái)產(chǎn)出2倍以上。 碳化硅二極管（SiC SBD)產(chǎn)品概覽 |
