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一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的H橋電流控制驅(qū)動器

發(fā)布時間:2025-8-13 09:23    發(fā)布者:liao775a
N型功率MOSFETN溝道增強型功率MOSFET)的工作原理基于金屬-氧化物-半導體結(jié)構(gòu),通過柵極電壓控制源極與漏極之間的導電溝道形成與消失,實現(xiàn)電流的導通與截止。
當柵極電壓為零時,漏源極間加正電源,P基區(qū)與N漂移區(qū)形成的PN結(jié)反偏,漏源極間無電流流過。此時器件處于截止狀態(tài)。
在柵極施加正電壓(超過閾值電壓Vth),P基區(qū)表面形成反型層(N型導電溝道),電子從源極流向漏極,漏極電流ID產(chǎn)生。導通時僅多子(電子)參與導電,屬于單極型晶體管。
采用垂直導電結(jié)構(gòu)(如VDMOS),通過V型槽或雙擴散工藝實現(xiàn)高耐壓能力。漂移區(qū)摻雜濃度直接影響導通電阻和耐壓性能,通常通過增加漂移區(qū)寬度或采用超級結(jié)技術(shù)(SJ MOS)降低導通電阻。
工采網(wǎng)代理的電機驅(qū)動芯片 - SS6952T為電機一體化應用提供一種大電流單通道集成電機驅(qū)動方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動,可提供大峰值電流7A,可驅(qū)動一個刷式直流電機,或者螺線管或者其它感性負載。
SS6952T的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H電路,包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口,衰減模式可選擇為快衰減,慢衰減和混合衰減。
SS6952T提供了一種低功耗睡眠模式來關(guān)斷內(nèi)部電路,以達到非常低的靜態(tài)電流。這種睡眠模式通過設(shè)置nSLEEP引腳來實現(xiàn)。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護,短路保護,欠壓鎖定保護和過溫保護,并提供一個故障輸出管腳nFAULT引腳。
SS6952T提供一種帶有裸露焊盤的eTSSOP28封裝,能有效改善散熱性能,且是無鉛產(chǎn)品,引腳框架采用100%無錫電鍍。
SS6952T是一個用于雙極步進電機或有刷直流電機的集成電機驅(qū)動方案。內(nèi)部集成了一個NMOS H橋、電流檢測、調(diào)節(jié)電路,和詳細的故障檢測。
典型應用原理圖:
馬達驅(qū)動芯片 - SS6952T的特性:
單通道H橋電流控制電機驅(qū)動器
單個直流有刷電機
一個步進電機單相
PWM控制接口
固定頻率下電流控制可選擇
– 2 bits電流控制,提供4個電流臺階
低導通阻抗的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
– 24VTa = 25°C時可實現(xiàn)7.0A大驅(qū)動電流(在保證散熱良好條件下)
– 24VTa= 25°CRDS(HS+LS)150mΩ(典型值HS + LS
大供電耐壓 50V
睡眠模式低電流
內(nèi)置 3.3V 基準電壓
帶散熱片的表面貼裝封裝
保護特性
過流保護 (OCP)
熱關(guān)斷 (TSD)
欠壓閉鎖 (UVLO)
故障顯示 PinnFAULT
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