|
近日，九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產業及科研機構對具有完全自主知識產權的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產業發展。 此次推出的科研樣品分為兩種IP結構： 1、SiC膠囊溝槽MOSFET科研樣品 基于九峰山實驗室完全自主IP的SiC膠囊型溝槽MOSFET結構，結合優化設計的新型終端技術，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。核心專利包括CN114141627A、CN114464680A、CN114883412A等。 規格：BV≥1400 V，60~80 mΩ，可為客戶提供bare die （有源區面積約3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測試及應用場景。10~40 mΩ器件正在流片中，可接受定制化開發。 元胞結構 終端結構 （左）阻斷特性（右）導通特性 2、SiC周期性兩側深掩蔽溝槽MOSFET科研樣品 基于九峰山實驗室完全自主IP的SiC雙側深掩蔽溝槽MOSFET結構，已通過HTGB、H3TRB，HTRB可靠性檢測。核心專利包括：CN118472041B、CN119486224A、CN119997569A、CN119342864B等。 元胞結構 （左）阻斷特性（右）導通特性 規格：BV≥1400 V，20~80 mΩ，Ronsp~ 2-2.4mOhm.cm2；可為客戶提供bare die（有源區面積約3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測試及應用場景。16mΩ以下芯片（有源區面積約5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化開發； 3、TO247封裝科研樣品數據及可靠性測試 科研樣品都經過電性能篩選測試，及第三方可靠性摸底1000Hrs測試。采用TO-247 3 pin封裝形式器件（有源區面積約3.35mm*3.35mm）的電性能實測數據如下： 1000h HTGB測試結果 1000h H3TRB測試結果 咨詢及購買聯系方式：wangkuan@jfslab.com.cn |
