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德國比勒菲爾德大學與萊布尼茨固態與材料研究所德累斯頓分院（IFW Dresden）的物理學家團隊開發出一種新技術，通過超短光脈沖操控原子級薄層半導體。相關研究發表于《自然-通訊》（Nature Communications ），有望推動以光為控制機制的超高速光電元件發展，為下一代技術開辟新路徑。 研究團隊設計了納米級天線，將太赫茲光轉化為二硫化鉬（MoS₂）等原子級薄層材料內的垂直電場，強度可達數百萬伏特每厘米。傳統方法依賴電子門控生成電場，但響應速度較慢，而新技術直接利用太赫茲光在材料內部產生控制信號，實現了光驅動、超快響應的光電調控，時間尺度可達萬億分之一秒。實驗證實，光脈沖能精準調控材料的光電特性。 該研究的理論建模與實驗由比勒菲爾德大學完成，而實現該效應的3D-2D納米天線由IFW德累斯頓團隊制備。經過多次結構優化與測試，最終研發出滿足性能要求的器件。 這項技術可應用于超快信號控制器件、電子開關及傳感器，潛在領域包括通信系統、計算技術、成像及量子科技，為高速數據傳輸、激光系統等提供新解決方案。 《賽特科技日報》網站（https://scitechdaily.com） |
