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半導體材料瓶頸可望突破！臺灣科技部昨（3）日宣布，臺灣、日本、沙烏地阿拉伯等跨國團隊，已研究出單層二硫化鉬P-N接面，可望取代矽晶片成為新世代半導體核心元件，廣泛應(yīng)用在穿戴式裝置及手機中。 這是全球第1個發(fā)表新世代半導體材料基礎(chǔ)研究成果，不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中，交大研究團隊透露，這項結(jié)果可望吸引臺積電更積極合作研究，以早日搶占全球市場商機。 在科技部大力支持“尖端晶體材料開發(fā)及制作計畫”科技預算下，半導體材料瓶頸有了重大突破。臺灣研究團隊計畫主持人交大電子物理系教授張文豪指出，英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究，臺積電也積極與學界接洽合作，未來誰能搶先開發(fā)單層元件材料，就能在全球市場占有一席之地。 張文豪說，單層二硫化鉬是全球科學家認為新世代半導體頗有潛力的材料，這次研究團隊發(fā)展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面，可望解決半導體元件制備關(guān)鍵問題。 張文豪說，未來可廣泛應(yīng)用于極度微小化的電子元件，尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性，有潛力應(yīng)用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件，或手機應(yīng)用中。 張文豪說，臺籍科學家李連忠過去為中研院研究員，被沙國國王科技大學延攬成為沙國科學家，他籌組臺灣、沙國、日本等跨國合作團隊進行大型合作計畫。臺灣研究團隊除張文豪外，還有交大材料系教授韋光華、中研院應(yīng)科中心研究員朱治偉等人。 科技部指出，二硫化鉬是繼石墨烯后，備受國際科學家關(guān)注層狀材料，單層二硫化鉬具有良好發(fā)光效率，極佳電子遷移率（可快速反應(yīng)）與高開關(guān)比（電晶體較穩(wěn)定），可用于未來新型低耗能邏輯電路，極有可能取代目前矽晶做下世代主要核心元件。 科技部指出，國際半導體大廠如Intel、臺積電及三星等，最小元件技術(shù)約落在7～10奈米間，而這項研究成果為二硫化鉬及相關(guān)無機二維材料電子學研究及應(yīng)用，將有助二硫化鉬等材料應(yīng)用在2奈米半導體制程技術(shù)中。 來源：（臺）工商時報 |
