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禾納推出的AET3156AP是一款增強型p溝道MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型導通電阻為15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。該器件支持快速切換，具備低電阻特性，且不含鹵素和銻，符合Rohs標準 ATE3156AP特性 VDS=-30V,ID=-10A RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A 可靠且堅固耐用 雪崩額定 低電阻 工作溫度范圍為-55℃至125℃ 采用PDFN3030和SOP8封裝 
ATE3156AP應用 電源管理：便攜設備、臺式機電源系統 開關電路：高頻率開關電源、DC-DC轉換器 電機驅動：低壓大電流負載控制 |
