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隨著新能源汽車智能化成為行業(yè)標(biāo)配，兩輪電動(dòng)車領(lǐng)域也正經(jīng)歷一場深刻的技術(shù)革命。語音交互、自動(dòng)駕駛輔助、智能導(dǎo)航、無感解鎖等高端功能已不再是四輪專屬，正快速向“小電驢”普及。行業(yè)展會(huì)如華南國際電動(dòng)車展上，搭載無人智駕技術(shù)、能自主應(yīng)對復(fù)雜路況的車型已嶄露頭角，而量產(chǎn)車型中的藍(lán)牙解鎖、語音控制、導(dǎo)航投屏、輔助駕駛等功能更是日益普及。這些智能化功能的實(shí)現(xiàn)，高度依賴于高效、穩(wěn)定、可靠的電子電力核心——功率MOSFET器件。 為精準(zhǔn)匹配兩輪電動(dòng)車智能化升級對功率器件的嚴(yán)苛需求，國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商微碧半導(dǎo)體（VBsemi） 憑借深厚的技術(shù)積累，推出了一系列高性能、高可靠性、低功耗的MOSFET產(chǎn)品，覆蓋從核心動(dòng)力系統(tǒng)到智能感知交互的全鏈條應(yīng)用場景，為兩輪電動(dòng)車的智能化升級提供堅(jiān)實(shí)的硬件基石。 智能化功能的爆發(fā)式增長，對以下關(guān)鍵模塊的功率器件提出了更高要求： 1.高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)與動(dòng)力控制： 要求MOSFET具備極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 以降低損耗，高開關(guān)速度以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的PWM控制（如自動(dòng)調(diào)速、坡道輔助、能量回收），以及優(yōu)異的散熱能力應(yīng)對持續(xù)大電流工作。 2.精密電池管理系統(tǒng) (BMS)： 需要MOSFET在充電通路、放電通路、電池均衡等環(huán)節(jié)提供低損耗開關(guān)、精準(zhǔn)電流控制和高可靠性，確保電池安全（過充、過放、短路、過溫保護(hù)）并最大化續(xù)航里程。 3.智能交互與車機(jī)系統(tǒng)： 為顯示屏、語音模塊、藍(lán)牙/WiFi模塊、各類傳感器（雷達(dá)、攝像頭）等供電的DC-DC轉(zhuǎn)換器，需要高效率、低噪聲、小封裝的MOSFET，尤其注重低靜態(tài)電流以延長待機(jī)時(shí)間。 4.自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)： 雷達(dá)、超聲波傳感器、控制單元的供電與信號處理電路，需要高開關(guān)頻率、低Qg (柵極電荷)、優(yōu)異EMI性能的MOSFET，確保傳感器快速響應(yīng)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。 5.車身控制與舒適性系統(tǒng)： 燈光控制（如自動(dòng)大燈）、防盜鎖、坐墊感應(yīng)、無鑰匙啟動(dòng)等，需要高性價(jià)比、高可靠性、易于驅(qū)動(dòng)的MOSFET。 微碧半導(dǎo)體(VBsemi) 全場景MOSFET解決方案推薦針對上述智能化模塊的痛點(diǎn)，微碧半導(dǎo)體(VBsemi)提供以下經(jīng)過市場驗(yàn)證的高性能MOSFET產(chǎn)品組合： 1. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與動(dòng)力控制模塊 - 澎湃動(dòng)力的高效基石應(yīng)用場景：無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器、電機(jī)相線開關(guān)、預(yù)驅(qū)/后級驅(qū)動(dòng)、能量回收電路。 核心需求：超低 RDS(on), 高電流能力, 高開關(guān)速度, 優(yōu)異熱性能。 VBsemi推薦產(chǎn)品： VBGQT1101 (100V, 350A, RDS(on)典型值 1mΩ):極低導(dǎo)通損耗，顯著提升效率，降低溫升，是主驅(qū)開關(guān)的理想選擇。 VBGQA1803 (80V, 140A, 優(yōu)化開關(guān)特性):平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，提供更快的響應(yīng)速度和更高的系統(tǒng)效率，適用于高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)。 VBGQT11505 (150V, 170A, RDS(on)典型值 5mΩ):更高耐壓等級，為使用更高電池電壓（如72V）或需要更高安全裕量的系統(tǒng)提供可靠保障。 VBGQA1602 (60V, 180A, RDS(on)典型值 1.7mΩ, 低Qg):針對高頻PWM優(yōu)化的型號，開關(guān)損耗更低，適合對動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求極高的應(yīng)用。 2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) - 安全與續(xù)航的守護(hù)者應(yīng)用場景：充放電控制MOSFET (主開關(guān))、電池單體/組均衡開關(guān)、預(yù)充電路、負(fù)載開關(guān)。 核心需求：低導(dǎo)通損耗 (減少壓降)，高可靠性 (防止失效導(dǎo)致危險(xiǎn))，精準(zhǔn)控制能力 (均衡)，低柵極電荷 (Qg, 易于驅(qū)動(dòng))。 VBsemi推薦產(chǎn)品： VBE2625 (60V, 50A, 低RDS(on)):適用于中小電流充放電通路開關(guān)和均衡開關(guān)，效率高，溫升小。 VBE1410 (40V, 55A, 超低Qg):極低的柵極電荷，驅(qū)動(dòng)簡單，開關(guān)速度快，特別適合高頻工作的均衡電路和預(yù)充電路。 VBM1303 (30V, 120A, RDS(on)典型值 3mΩ):超低導(dǎo)通電阻，適用于大電流放電主通路開關(guān)，最大限度降低通路損耗，提升放電效率與續(xù)航。 VBE1104N (100V, 40A):更高耐壓版本，適用于多串鋰電池組的主開關(guān)保護(hù)，提供更強(qiáng)的安全隔離能力。 3. 智能交互、車機(jī)與ADAS系統(tǒng) - 智慧體驗(yàn)的能量核心應(yīng)用場景：車載信息娛樂系統(tǒng)供電(DC-DC Buck/Boost)、儀表盤/中控屏背光、語音模塊/藍(lán)牙/WiFi模塊供電、雷達(dá)/超聲波傳感器供電、攝像頭模組供電、控制單元(ECU)電源。 核心需求：高效率 (延長小電池待機(jī))，低靜態(tài)電流 (休眠功耗)，小尺寸封裝 (節(jié)省空間)，低噪聲 (避免干擾敏感信號)，高開關(guān)頻率 (減小外圍元件)。 VBsemi推薦產(chǎn)品： VB1330 (30V, 5A, RDS(on)典型值 30mΩ, 超低靜態(tài)電流):專為低功耗待機(jī)和常電應(yīng)用設(shè)計(jì)，休眠功耗極低，是傳感器、小功率模塊的理想負(fù)載開關(guān)或同步整流下管。 VBE1206 (20V, 100A, RDS(on)典型值 4.5mΩ, 高頻特性優(yōu)異):優(yōu)秀的開關(guān)性能，適用于12V系統(tǒng)內(nèi)的DC-DC同步整流或功率開關(guān)，效率高，發(fā)熱小。 VBE1638 (60V, 45A, RDS(on)典型值 25mΩ):適用于48V轉(zhuǎn)12V/5V等非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器（Buck）的同步整流或主開關(guān)，高效率供電的核心器件。 VBQF1206 (20V, 58A, DFN3x3 超小封裝):空間受限應(yīng)用的絕佳選擇，如緊湊型雷達(dá)模塊、攝像頭模組內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換，提供高效、小巧的解決方案。 4. 車身控制與舒適性模塊 - 便捷可靠的執(zhí)行單元應(yīng)用場景：LED大燈/尾燈/氛圍燈驅(qū)動(dòng)、防盜鎖電機(jī)/電磁閥驅(qū)動(dòng)、坐墊感應(yīng)開關(guān)、無鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)(RFID)供電、喇叭驅(qū)動(dòng)。 核心需求：高可靠性，高性價(jià)比，足夠的電流驅(qū)動(dòng)能力，易于集成。 VBsemi推薦產(chǎn)品： VB1330 (30V, 6.5A, SOT-23 封裝):通用型小功率開關(guān)MOSFET，成本效益高，廣泛用于燈光控制、小電機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號開關(guān)等。 VB2290 (20V, 4A, SOT-23 封裝):適用于更小電流負(fù)載，如信號切換、低功率LED驅(qū)動(dòng)。 VBA1311 (20V, 13A, SOP-8 封裝):驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)，適用于大功率LED燈組或小型直流電機(jī)（如防盜鎖）。 微碧半導(dǎo)體(VBsemi) MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢先進(jìn)溝槽工藝： 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的 低RDS(on)，顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率和續(xù)航里程。 優(yōu)化開關(guān)特性： 精心設(shè)計(jì)的 低Qg (柵極電荷) 和 低Qrr (反向恢復(fù)電荷)，提升開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，優(yōu)化EMI性能，尤其適合高頻PWM控制的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換。 卓越的熱管理： 芯片設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)（如TOLL, TO-252, DFN, SOP-8等）結(jié)合，提供 優(yōu)異的散熱性能，確保器件在高溫、高負(fù)載下穩(wěn)定工作，延長使用壽命。 超低功耗設(shè)計(jì)： 針對待機(jī)和常電應(yīng)用，提供 極低靜態(tài)電流 (uA級) 的系列產(chǎn)品，有效降低整車暗電流，延長電池待機(jī)時(shí)間。 可靠性與一致性： 產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和測試過程遵循嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，確保在電動(dòng)車復(fù)雜的振動(dòng)、溫度、濕度環(huán)境下保持高可靠性和批次間一致性。 賦能智能出行未來兩輪電動(dòng)車的智能化浪潮勢不可擋，其核心在于電子電力系統(tǒng)的全面升級。微碧半導(dǎo)體(VBsemi)深刻理解行業(yè)需求，憑借覆蓋動(dòng)力、電源、控制、感知全鏈條的高性能MOSFET解決方案，為兩輪電動(dòng)車制造商提供高效、可靠、節(jié)能的核心器件支持。 從提升動(dòng)力響應(yīng)與續(xù)航的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，到保障電池安全與壽命的BMS，再到實(shí)現(xiàn)智能交互與自動(dòng)駕駛的各類電子系統(tǒng)，VBsemi MOSFET都是智能化功能穩(wěn)定運(yùn)行的堅(jiān)實(shí)后盾。選擇微碧半導(dǎo)體(VBsemi)，即是選擇為您的智能電動(dòng)車注入一顆強(qiáng)勁而可靠的“芯”。 隨著L2級輔助駕駛、V2X車聯(lián)網(wǎng)等更高級別智能功能在兩輪車上的探索與應(yīng)用，微碧半導(dǎo)體(VBsemi)將持續(xù)投入研發(fā)，不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，與行業(yè)伙伴攜手，共同推動(dòng)兩輪電動(dòng)車向更智能、更安全、更高效的方向加速邁進(jìn)。 關(guān)于微碧半導(dǎo)體(VBsemi): 微碧半導(dǎo)體(VBsemi)是中國領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，專注于功率器件（MOSFET, IGBT, SiC/GaN器件及模塊）的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售。公司產(chǎn)品以高性能、高可靠性、高性價(jià)比著稱，廣泛應(yīng)用于新能源汽車（含兩輪/三輪）、充電樁、光伏儲能、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。微碧半導(dǎo)體(VBsemi)堅(jiān)持以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展，致力于為全球客戶提供卓越的功率解決方案，賦能綠色能源與智慧出行。 |
