MCU STM32H743VGT6——IRSM836-044MATR智能電源模塊、IPLU300N04S4-R8晶體管

Mingjiada

深圳市明佳達電子，星際金華（供應及回收）原裝庫存器件：STM32H743VGT6微控制器IC、IRSM836-044MATR三相智能電源模塊、IPLU300N04S4-R8汽車 MOSFET 晶體管。



STM32H743VGT6：480MHz，32位 ARM® Cortex®-M7 微控制器IC，LQFP-100
核心處理器：ARM® Cortex®-M7
內核規格：32位
速度：480MHz
I/O 數：82
程序存儲容量：1MB（1M x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：1M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 36x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型：內部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：100-LQFP（14x14）
封裝/外殼：100-LQFP



IRSM836-044MATR：250V、CIPOS™ Nano 三相 MOSFET 智能電源模塊
電流 - 輸出：4A
電壓 - 供電：13.5V ~ 16.5V
電壓 - 負載：200V（最大）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
基于 FREDFET 的低 RDS（導通）溝槽
集成自舉功能
欠壓鎖定
兩個通道的匹配 prop.
交叉傳導預防邏輯
3.3 V 輸入邏輯兼容
有源高 HIN 和 LIN
額定功率高達 60 W@10 kHz



IPLU300N04S4-R8：40V，OptiMOS™-T2 汽車 MOSFET 晶體管，PG-HSOF-8
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：300A（Tc）
功率耗散（最大值）：429W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
N 溝道 - 增強模式
MSL1 最高 260°C 峰值回流溫度
175°C 工作溫度
100% 通過雪崩測試
超低 RDS(on)
支持 PPAP 的器件


明佳達電子，星際金華（供應及回收）原裝器件：STM32H743VGT6（32位MCU）、IRSM836-044MATR（CIPOS™ Nano 智能電源模塊）、IPLU300N04S4-R8（OptiMOS™-T2 晶體管），如有需求，歡迎聯絡我們！