|
HC025N10L采用先進的溝槽技術提供RDS（ON），低柵極電荷和柵極電壓低至4.5V的操作。該設備適用于用作電池保護或用于其他開關應用。 技術特點：采用溝槽技術，具有良好的 RDS（ON）性能，低柵極電荷，只需 4.5V 的柵極電壓即可操作，能有效降低功耗，提高晶體管的性能和穩定性。同時，它還具備低導通損耗和低溫升的特點。 主要參數：漏源電壓（Vdss）為 100V，漏極電流 (Id) 可達 45A，開啟電壓低至 1.2V。 封裝形式：常用封裝有 DFN3333、SOT89 - 3、SOT23 - 3、SOP - 8、TO - 252、TO - 220 等。其中，采用 TO - 252 封裝較為常見。 應用領域：廣泛應用于加濕器、霧化器、香薰機、美容儀、榨汁機、暖奶器、脫毛儀等小家電領域，也可用于車燈、舞臺燈、燈帶調光等 LED 照明領域，以及電弧打火機、手機無線充、太陽能電源等場景。 惠海半導體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN3*3、PDFN5*6、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS 
|
