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2025北京半導體材料展:前沿科技與產業生態全景

發布時間:2025-6-3 17:08    發布者:c1426886954
關鍵詞: 北京半導體展
日期:2025-11-23
地點:北京國際會議中心
網址:
2025年11月23日至25日,北京國家會議中心將迎來全球半導體行業的焦點盛會——中國國際半導體博覽會(ICCHINA)。作為中國半導體行業協會主辦的權威展會,本屆展覽會以“集合全行業資源·成就大產業對接”為主題,全面展示半導體設備、材料及第三代半導體的前沿技術與產業生態。
第三代半導體:重塑未來科技格局以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料成為展區亮點。與傳統硅基半導體相比,這些材料具有高壓、高頻、高溫和高效率的顛覆性性能,正在重塑新能源、5G通信、電動汽車、工業電源等關鍵領域的技術格局。展會將首次展示8英寸SiC晶圓量產技術,以及面向超高壓電網的20kV SiC MOSFET,標志著行業從“實驗室”邁向“規;钡年P鍵拐點。
展出范圍與技術亮點
  • 芯片設計/晶圓制造展區集成電路設計及芯片、EDA、MCU、晶圓制造與設備及零部件等;
  • Chiplet與先進封裝展區:Chiplet、SiP封裝、晶圓級封裝(WLP)、3D封裝等;
  • 半導體專用設備/零部件展區:光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備等;
  • 先進材料/碳材料/金剛石半導體展區:硅片及硅基材料、光刻膠及其配套試劑、碳基材料、金剛石半導體等;
  • 第三代半導體展區:氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(Zno)金剛石、晶圓、襯底與外延等。
技術趨勢:從納米到原子級的制造革命光刻技術突破成為本次展會的焦點之一。阿斯麥(ASML)將展示High-NA EUV光刻機量產進展,推動2nm以下制程規;a;上海微電子則有望發布SSX800系列光刻機,加速成熟制程國產化。原子層沉積(ALD)技術也迎來升級,應用材料、東京電子等巨頭將推出多材料堆疊ALD技術,助力3D NAND邁向500層時代。
中國企業:從跟跑到領跑中國廠商在本次展會上的突破值得期待。中芯國際將首發國產8英寸SiC生產線技術,打破海外壟斷;三安光電展示全球首款1200V GaN-on-Si汽車芯片;華為則推出支持6G太赫茲頻段的“天罡2.0”射頻芯片。這些成果彰顯了中國在半導體材料領域的快速進步。
綠色制造與供應鏈重構響應全球低碳轉型需求,展會將呈現全球首臺零碳足跡刻蝕機,結合AI動態能耗調節技術。在地緣政治背景下,供應鏈本土化成為焦點,北方華創、中微半導體等中國企業將展示全鏈條國產設備,覆蓋刻蝕、薄膜沉積等關鍵環節。
互動體驗與技術交流為提升觀展體驗,組委會設計了多項互動環節:VR模擬SiC晶圓制造流程、GaN快充拆解實驗室等沉浸式體驗。同期將舉辦多場高峰論壇,包括“第三代半導體與碳中和”“GaN射頻前沿”等主題,匯聚IEEE專家與行業領袖。
2025北京半導體材料展覽會不僅是技術展示的舞臺,更是全球產業鏈重構的起點。從材料創新到設備革新,從本土化布局到綠色轉型,這場盛會將為從業者、投資者與科技愛好者揭開半導體產業未來十年的發展藍圖。
展位申請:企業可預訂展位展示技術(需提前聯系主辦方預留黃金展位)


參展報名:張主任185 3830 4525同微信

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