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據韓媒報道，三星電子已確認將從其第10代V-NAND（V10）開始，采用中國長江存儲科技有限責任公司（YMTC）的專利技術，特別是在先進的“混合鍵合”技術方面。 三星計劃于2025年下半年開始量產V10 NAND產品，預計堆疊層數將達到420至430層。隨著堆疊層數的增加，傳統技術（如COP技術）在超過400層時面臨底層外圍電路壓力過大、影響可靠性和性能的問題。為解決這一問題，三星決定在V10 NAND中引入長江存儲的“晶棧（Xtacking）”混合鍵合技術。 “晶棧（Xtacking）”技術通過直接貼合兩片晶圓，無需傳統凸點連接，從而縮短電氣路徑，提升性能和散熱能力。長江存儲早在四年前就已將混合鍵合技術應用于3D NAND制造，并建立了強大的專利布局。三星在之前的NAND閃存中采用COP（Cell on Peripheral）結構，但隨著層數增加，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。因此，三星選擇通過專利授權的方式與長江存儲達成合作，以降低法律風險并加速技術研發進程。 業內人士指出，混合鍵合技術的關鍵專利主要掌握在美國Xperi、長江存儲和臺積電手中。三星認為，在下一代NAND閃存（如V10、V11和V12）的生產中很難繞過長江存儲的專利，因此選擇通過許可協議的方式達成合作。 這一合作不僅有助于三星在400層以上NAND閃存產品的研發和生產上節省時間和成本，快速提升產品競爭力，也標志著長江存儲在全球3D NAND技術領域的重要地位進一步提升。此外，SK海力士等其他國際存儲巨頭也可能跟進，與長江存儲簽署類似的專利授權協議。 |
