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東京大學開發(fā)出可承受150℃高溫滅菌處理的有機晶體管

發(fā)布時間:2012-3-13 20:34    發(fā)布者:nansaudi
關(guān)鍵詞: 晶體管
以東京大學研究生院工學系研究科教授染谷隆夫和副教授關(guān)谷毅準為核心的研究小組在全球首次成功開發(fā)出了可承受高溫滅菌處理的柔性有機晶體管。設(shè)想用于體內(nèi)植入型裝置及細徑導(dǎo)管等醫(yī)療器械用途。相關(guān)開發(fā)成果已刊登在英國雜志《NatureCommunications》的在線版上。
  
  此次開發(fā)的最大特點是:即使經(jīng)過20秒的150℃普通滅菌處理,仍可保持晶體管的特性。載流子遷移率在滅菌處理后為1.2cm2/Vs,與滅菌處理前的1.0cm2/Vs以上相比無大變化。另外,導(dǎo)通/截止比在滅菌前后均保持在106以上。
  
  另外,由于開發(fā)品是在PI或PEN樹脂膜上形成的有機晶體管,因此可彎曲,而且驅(qū)動電壓也僅需2V。有機半導(dǎo)體采用耐熱性高的脫氧核苷酸轉(zhuǎn)移酶(DNTT)。這樣就可解決使用有機晶體管的醫(yī)療器械在實用化時面臨的三大課題:(1)需要擁有與生物體匹配性高的機械柔軟度、(2)需要采用對人體安全的低驅(qū)動電壓、(3)需要能夠進行滅菌處理,以降低感染風險,等等。東京大學以前也曾開發(fā)過柔性有機晶體管(參閱本站報道1、2、3、4)。
  
  改進柵極絕緣膜
  
  據(jù)東京大學染谷教授介紹,要想將有機晶體管的驅(qū)動電壓降至2V,“柵極絕緣膜成膜必須以納米級的厚度成膜”,但絕緣膜太薄的話容易發(fā)生針孔等局部缺陷,“在高溫下容易出現(xiàn)漏電流”。
  
  為了實現(xiàn)150℃耐熱性和2V驅(qū)動電壓,染谷教授的研究小組對有機晶體管的柵極絕緣膜進行了改進。開發(fā)品在厚度為4nm的Al氧化膜上形成了厚度為2nm的“自組性單分子膜(self-assembledmonolayer:SAM)”,也就是分子自發(fā)性地吸附于特定的物質(zhì)表面,形成單分子層。此次,該研究小組通過在SAM中采用磷酸正十八酯,開發(fā)出可高密度成膜的工藝,消除了高溫下出現(xiàn)針孔導(dǎo)致漏電流的現(xiàn)象。而且還通過優(yōu)化形成Al氧化膜時的等離子體處理的條件,防止了樹脂膜的損傷。
  
  此外,有機晶體管的封裝方法也有所改變。通過使用有機高分子膜和金屬膜兩種薄膜封裝,可防止高溫狀態(tài)下有機半導(dǎo)體層即DNTT的升華以及有機晶體管的劣化。
  
  此次的成果是東京大學與日本科學技術(shù)振興機構(gòu)(JST)、美國普林斯頓大學(PrincetonUniversity)、德國馬普固體研究所(MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch)、美國美國國立標準技術(shù)研究所(NIST:NationalInstituteofStandardsandTechnology)、日本廣島大學以及日本化藥共同開發(fā)獲得的。
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