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據國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）宣布，其下屬的國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，已順利完成首批氫離子注入性能優化芯片產品的客戶交付。這一事件標志著我國在功率半導體制造領域取得了重大技術突破，填補了國內半導體產業鏈中的關鍵空白。 氫離子注入技術作為半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環節，對集成電路、功率半導體及第三代半導體產品的生產具有至關重要的作用。長期以來，我國在這一領域的核心技術及裝備工藝一直受制于人，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口，嚴重制約了我國半導體產業的高端化發展。 核力創芯此次交付的氫離子注入性能優化芯片產品，歷經近萬小時的嚴格工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標已達到國際先進水平，獲得了用戶的高度評價。 自2021年成立以來，核力創芯在不到三年的時間里，成功突破了多項關鍵技術壁壘，實現了100%的自主技術和裝備國產化。公司還建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發平臺，為技術創新和產業升級提供了有力支撐。 此次技術突破對于提升我國半導體產業鏈的整體水平具有深遠意義。它不僅打破了國外在氫離子注入技術上的壟斷，還為我國半導體產業的高端化發展開辟了新路徑。未來，隨著市場對高性能芯片需求的不斷增長，核力創芯所開發的技術將有望在更廣泛的應用場景中發揮作用，推動我國半導體產業邁向更高水平。 國家電投表示，氫離子注入技術的成功應用，是我國半導體產業自主可控能力的重要體現。公司將繼續加大研發投入，推動技術創新和產業升級，為我國半導體產業的發展貢獻更多力量。 業界專家指出，核力創芯的技術突破不僅提升了我國半導體產業的國際競爭力，也為全球半導體產業的發展注入了新的活力。隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，我國半導體產業有望在全球市場中占據更加重要的地位。 |
