|
瑞典領先的GaN-on-SiC外延制造商SweGaN今日宣布，其位于瑞典林雪平的新工廠已正式出貨，標志著公司在半導體制造領域邁出了重要一步。此次出貨的碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓將主要應用于下一代5G先進網絡的高功率射頻應用，展現了SweGaN在技術創新和產能擴張方面的顯著成就。 SweGaN的新工廠于2023年3月動工建設，采用最先進的生產技術和制造工藝，旨在實現大規模生產4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。該工廠預計年產能可達4萬片，將極大提升SweGaN在全球市場的競爭力。此次出貨不僅標志著SweGaN從一家無晶圓廠設計廠商正式轉型為一家半導體制造商，也預示著公司全面進入產能擴張和市場拓展的新階段。 SweGaN首席執行官Jr-Tai Chen博士表示：“我們非常自豪地宣布新工廠正式出貨，這是SweGaN發展歷程中的一個重要里程碑。隨著5G技術的不斷演進和全球對高效能半導體器件需求的增加，我們的碳化硅基氮化鎵晶圓將發揮關鍵作用，助力電信、國防、衛星通信和電動汽車等領域的技術進步。” Chen博士進一步指出，SweGaN的QuanFINE無緩沖區碳化硅基氮化鎵材料在器件效率和熱管理方面具有顯著優勢，非常適合滿足5G Advanced等新技術的苛刻要求。公司近期與多家電信和國防公司簽訂了供貨協議，訂單量大幅增長，這充分證明了市場對SweGaN產品的認可和需求。 值得一提的是，SweGaN在產能擴張方面也得到了資本市場的有力支持。2022年9月，公司成功完成了A輪融資，融資金額高達1200萬歐元（約8300萬人民幣），由Intertech Ventures、Mount Wilson Ventures和Atlantic Bridge共同領投，瑞典STOAF及聯發科跟投。這筆資金主要用于氮化鎵產品的擴產，以滿足市場需求，并支持公司擴大執行團隊和增加工程、銷售和生產人員。 展望未來，SweGaN將繼續加大研發投入，推動技術創新和產品升級，以滿足全球市場對高效能半導體器件的持續增長需求。同時，公司也將深化與供應商和客戶的合作關系，建立彈性供應鏈，為全球客戶提供更優質的產品和服務。 SweGaN的此次出貨不僅是對公司自身實力的有力證明，也是對整個氮化鎵半導體行業發展的積極貢獻。隨著全球科技產業的快速發展和數字化轉型的加速推進，SweGaN將繼續發揮其在氮化鎵技術領域的領先優勢，為全球科技進步和經濟發展貢獻力量。 |
