|
來源：EXPreview 近年來，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長。從去年下半年起，就不斷傳出有關下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了這方面的投入，以加快研發的進度。 據ZDNet報道，JEDEC固態存儲協會可能會放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制。為了降低三星、SK海力士和美光的制造難度，傳聞JEDEC可能將12層及16層堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著存儲器制造商可以在現有的鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術。 目前無論是三星的TC NCF技術還是SK海力士的MR-RUF技術，都是使用凸塊實現層與層之間的連接。上個月三星宣布，已開發出業界首款HBM3E 12H DRAM，從過去的8層堆疊提高至12層堆疊，而且通過對TC NCF材料的優化，已經將間隙減低至7微米。不過要實現16層堆疊，厚度必然會繼續增加，現有的技術在原限定高度下很難實現這樣的操作。 混合鍵合技術不需要凸塊，通過板載芯片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過混合鍵合技術尚未成熟，而且相比現有的鍵合技術過于昂貴，因此現階段存儲器制造商還不太愿意采用。 隨著JEDEC同意放寬HBM4的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術爭取到了更多的開發時間，另一方面也加快了HBM4的商業化進程。 |
