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來源：EXPreview.com 去年10月，三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動，展示了一系列引領超大規模人工智能（AI）時代的創新技術和產品，并宣布推出名為“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能應用，提高總擁有成本（TCO），并加快數據中心的人工智能模型訓練和推理速度。 今天三星宣布已開發出業界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊。其提供了高達1280GB/s的帶寬，加上36GB容量，均比起之前的8層堆棧產品提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產品。 
HBM3E 12H DRAM采用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層產品與8層產品有著相同的高度規格，滿足了當前HBM封裝的要求。這項技術預計會帶來更多優勢，特別是在更高的堆疊上，業界正在努力減輕芯片裸片變薄帶來的裸片翹曲。三星不斷降低其NCF材料的厚度，并實現了業界最小的芯片間隙（7µm），同時還消除了層間空隙。這些努力使其與HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。 三星的熱壓非導電薄膜技術還通過芯片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能，在芯片鍵合過程中，較小凸塊用于信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域，這種方法有助于提高產品的良品率。 三星表示，在人工智能應用中，采用HBM3E 12H DRAM預計比HBM3E 8H DRAM的訓練平均速度提高34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。據了解，三星已經開始向客戶提高HBM3E 12H DRAM樣品，預計今年下半年開始大規模量產。 |
