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來(lái)源：EXPreview.com 去年10月，三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動(dòng)，展示了一系列引領(lǐng)超大規(guī)模人工智能（AI）時(shí)代的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，并宣布推出名為“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能應(yīng)用，提高總擁有成本（TCO），并加快數(shù)據(jù)中心的人工智能模型訓(xùn)練和推理速度。 今天三星宣布已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊。其提供了高達(dá)1280GB/s的帶寬，加上36GB容量，均比起之前的8層堆棧產(chǎn)品提高了50%，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產(chǎn)品。 
HBM3E 12H DRAM采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層產(chǎn)品與8層產(chǎn)品有著相同的高度規(guī)格，滿(mǎn)足了當(dāng)前HBM封裝的要求。這項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)會(huì)帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)，特別是在更高的堆疊上，業(yè)界正在努力減輕芯片裸片變薄帶來(lái)的裸片翹曲。三星不斷降低其N(xiāo)CF材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的芯片間隙（7µm），同時(shí)還消除了層間空隙。這些努力使其與HBM3 8H DRAM相比，垂直密度提高了20%以上。 三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)還通過(guò)芯片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能，在芯片鍵合過(guò)程中，較小凸塊用于信號(hào)傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域，這種方法有助于提高產(chǎn)品的良品率。 三星表示，在人工智能應(yīng)用中，采用HBM3E 12H DRAM預(yù)計(jì)比HBM3E 8H DRAM的訓(xùn)練平均速度提高34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶(hù)數(shù)量也可增加超過(guò)11.5倍。據(jù)了解，三星已經(jīng)開(kāi)始向客戶(hù)提高HBM3E 12H DRAM樣品，預(yù)計(jì)今年下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。 |
