Vishay推出采用源極倒裝技術PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

發布時間：2024-2-20 21:44 發布者：eechina

器件采用中央柵極結構3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212 F封裝，提高系統功率密度，改進熱性能

威世科技Vishay推出多功能新型30V n溝道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 mW，導通電阻與柵極電荷乘積，即開關應用中MOSFET關鍵的優值系數（FOM）為42 mW*nC，達到業內先進水平。

日前發布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導通電阻降低18%，提高了功率密度，同時源極倒裝技術將熱阻從63C/W降至56C/W。此外，SiSD5300DN優值系數比上代器件低35%，從而降低了導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。

PowerPAK1212-F源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置，擴大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時，PowerPAK 1212-F減小了開關區范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡化了單層PCB基板多器件并聯的使用。

采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統（BMS）、降壓和BLDC轉換器、OR-ing FET、電機驅動器和負載開關等應用。典型終端產品包括焊接設備和電動工具、服務器、邊緣設備、超級計算機、平板電腦、割草機和掃地機以及無線電基站。

器件經過100% RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

主要技術規格表：

PowerPAK1212-F	PowerPAK1212-8S
封裝尺寸：3.3 mm x 3.3mm	封裝尺寸：3.3 mm x 3.3 mm
源極焊盤尺寸：4.13 mm2	源極焊盤尺寸：0.36 mm2
熱阻：56 °C/W	熱阻：63 °C/W
第五代技術優異導通電阻：	第五代技術優異導通電阻：
SiSD5300DN: 0.87 mΩ (最大值)	SiSS54DN: 1.06 mΩ (最大值)

SiSD5300DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為26周。

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