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臺(tái)積電首提 1nm A10 工藝,計(jì)劃到 2030 年實(shí)現(xiàn) 1 萬億晶體管的單個(gè)芯片封裝

發(fā)布時(shí)間:2023-12-28 14:23    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 , 1nm
來源:IT之家

據(jù) Tom's Hardware 報(bào)道,在本月舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上,臺(tái)積電制定了提供包含 1 萬億個(gè)晶體管的芯片封裝路線,這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。

當(dāng)然,1 萬億晶體管是來自單個(gè)芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合,但臺(tái)積電也在致力于開發(fā)單個(gè)芯片 2000 億晶體管。

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),該公司重申正在致力于 2nm 級(jí) N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),以及 1.4nm 級(jí) A14 和 1nm 級(jí) A10 制造工藝,預(yù)計(jì)將于 2030 年完成。


▲ 圖源 Tom's Hardware 獲取到的臺(tái)積電 PPT

此外,臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)(CoWoS、InFO、SoIC 等)將不斷取得進(jìn)步,使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬億個(gè)晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

據(jù)IT之家此前報(bào)道,臺(tái)積電在會(huì)議上還透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。
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