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STT-MRAM是一種先進的磁阻，它利用電子自旋的磁性在半導(dǎo)體中提供非易失性。MRAM代表磁阻隨機存取存儲器，是一種使用磁狀態(tài)而不是DRAM等設(shè)備使用的電荷來存儲數(shù)據(jù)位的方法。 STT-MRAM由三星電子公司的代工廠制造，得益于三星代工廠的28納米FD-SOI工藝，Netsol MRAM擁有低功耗和更緊湊的尺寸。今年大規(guī)模生產(chǎn)STT-MRAM，在從物聯(lián)網(wǎng)到醫(yī)療和汽車的廣泛行業(yè)提供替代品。 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb，具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。數(shù)據(jù)保存期10年，擁有無限讀取耐力，寫入耐力1014，無需外部ECC，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳及封裝8WSON、8SOP。樣品測試及規(guī)格書詳情聯(lián)系代理英尚微電子。 Netsol 串行MRAM
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