碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。
碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介.pdf
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| 碳化硅MOS要推出6500V |
| 國產SICMOS擁有全自主知識產權 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
| 6500V 耐壓 牛 |
| 國產SICMOS 頂起 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-841262-1-1.html |
| 國產SICMOS 牛 |
有碳化硅MOS晶圓 |
| 碳化硅MOS單管、晶圓芯片，全SiC 模塊 |
3300V 高壓MOS |
| 碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-838162-1-1.html |
| 碳化硅MOSFET驅動設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs |
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碳化硅MOS驅動設計及特點(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957 |
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SiC MOSFET國產化器件替代后導通時間、驅動損耗及負壓幅值變化的相關分析 - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/1915361134745195324 |
