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ROHM開發(fā)了新系列的Nch MOSFET（40V/60V/80V/100V/150V）RS6xxxxBx/RH6xxxxBx系列，適用于使用24V/36V/48V電源運(yùn)行的應(yīng)用，如工業(yè)和消費(fèi)類設(shè)備的基站、服務(wù)器和電機(jī)。 然而，一般MOSFET的特點(diǎn)是導(dǎo)致功率損耗的兩個(gè)主要參數(shù)：導(dǎo)通電阻（RDS（on）），與芯片尺寸成反比，以及柵極漏極電荷（Qgd）與芯片尺寸成比例增加，這使得實(shí)現(xiàn)兩者具有挑戰(zhàn)性。羅姆通過采用銅夾連接和改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)，改善了兩者之間的權(quán)衡。 新型MOSFET通過提高器件性能并采用具有低電阻銅夾連接的HSOP2/HSMT1封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的50.8mΩ導(dǎo)通電阻，比傳統(tǒng)器件低約8%。此外，Rohm表示，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，改進(jìn)元件柵極結(jié)構(gòu)可將Qgd（通常與RDS（on）處于權(quán)衡關(guān)系）降低約40%（比較RDS（on）和60V HSOP8封裝產(chǎn)品的Qgd的典型值）。 這些改進(jìn)降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，極大地提高了應(yīng)用效率。例如，在比較工業(yè)設(shè)備電源評(píng)估板的效率時(shí)，羅姆的新產(chǎn)品在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間的輸出電流范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了約95%（峰值）的行業(yè)領(lǐng)先效率。 應(yīng)用示例包括服務(wù)器和通信基站的電源、工業(yè)和消費(fèi)類產(chǎn)品的電機(jī)以及各種電源電路和配備電機(jī)的設(shè)備。 AMEYA360報(bào)道：ROHM宣布推出新型MOSFET |
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