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RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成、奇偶校驗(yàn)寫(xiě)入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢(xún)?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開(kāi)始恢復(fù)。日志內(nèi)存中的數(shù)據(jù)即使在斷電的情況下，也必須保留。電池供電的SRAM或nvSRAM主要被用作日志內(nèi)存。MRAM是非易失性存儲(chǔ)器，提供快速寫(xiě)入和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，是RAID系統(tǒng)最理想的存儲(chǔ)器。 MRAM與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座，與nvSRAM不同，無(wú)需電容器，保證突發(fā)斷電時(shí)的安全，恢復(fù)時(shí)間短，長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保存（10年），近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫(xiě)入次數(shù)），寫(xiě)入速度快等優(yōu)點(diǎn)。 英尚提供的 STT-MRAM兼具非易失、幾乎無(wú)限的耐用、高速度、高密度、低耗等各種優(yōu)良特性，所以被認(rèn)為是電子設(shè)備中的理想存儲(chǔ)器。與現(xiàn)有的靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM和快閃存儲(chǔ)器Flash相比，MRAM性能都足非常優(yōu)秀的。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。 |
