SiCMOS管國產實現電壓650V-1200V-1700V-3300V-6500V，電流5A-150A 。
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產.pdf
(9.39 MB)
|
| 具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等 |
| 6500V 的MOS 好 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
| 具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率 |
| 1700v 3300v SICMOS |
| 實現更高的功率密度，可靠性和效率。 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-841262-1-1.html |
| 寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率 頂！ |
碳化硅MOS晶圓 |
| 碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅動基礎知識 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-825360-1-1.html |
|
碳化硅MOS管-SiC MODULE產品技術應用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd 國產碳化硅MOS |
|
3300V 的 |
| 3300V碳化硅MOS業界領先的國產（SiC）功率器件 - 無源器件/分立半導體 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-857169-1-1.html |
| 碳化硅模塊（SiC模塊/MODULE）大電流下的驅動器研究 - 電源技術 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-856725-1-1.html |
| 碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-838162-1-1.html |
碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://www.4huy16.com/thread-838162-1-1.html |
