碳化硅MOS國內(nèi)第一家產(chǎn)品通過AEC-Q101車規(guī)級認證，且通過IATF16949汽車質(zhì)量體系
第三代半導體碳化硅MOS.pdf
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| AEC-Q101車規(guī)級 |
| SIC MOSFET是第三代半導體材料 |
| 國產(chǎn)首家 AEC-Q101認證 |
| SICMOS管車載OBC，光伏逆變，風能等新能源行業(yè)大量采用 |
| 歡迎交流學習車載OBC，光伏逆變 |
| 碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢：效率得到提升，節(jié)省空間、重量減輕，零件數(shù)量減少，系統(tǒng)可靠性增強。 |
國產(chǎn)首家 AEC-Q101認證 |
| SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生電容（CGD、CDS、CGS）。 |
| SiCMOS的主要優(yōu)點是開關(guān)頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡單。 |
| 好 好 |
| 產(chǎn)品 齊全 |
| AEC-Q101 產(chǎn)品 也全 |
| SiC MOSFET柵極驅(qū)動器示例 -電子工程網(wǎng) http://www.4huy16.com/thread-838162-1-1.html |
| 頂起來 -頂 |
| 碳化硅MOS管國產(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V，后續(xù)推出6500V。 - 電子工程網(wǎng) http://www.4huy16.com/thread-826808-1-1.html |
