|
MOSFET，它是一種可以常使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡(jiǎn)單、輻射強(qiáng)，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路。確定MOSFET的主要特性是其漏源電壓VDS，或“漏源擊穿電壓”，這是在柵很短路到源極，漏極電流在250μA情況下，MOSFET所能承受的確保不損壞的高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕 對(duì) 高電壓”，但是定要記住，這個(gè)絕 對(duì)電壓與溫度有關(guān)，而且數(shù)據(jù)表里通常有一個(gè)“VDS溫度系數(shù)”。在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。對(duì)正確選擇MOSFET同樣重要的是理解在導(dǎo)通過程中柵源電壓VGS的作用。 總的來說： 1、MOSFET串聯(lián)等效的柵極和源極電阻的分壓作用和柵極電容的影響，造成晶胞單元的VGS的電壓不一致，從而導(dǎo)致各個(gè)晶胞單元電流不一致，在開通和關(guān)斷的過程中形成局部過熱損壞。 2、快開通和關(guān)斷MOSFET，可以減小局部能量的聚集，防晶胞單元局部的過熱而損壞。開通速度太慢，距離柵極管腳較近的區(qū)域局部容易產(chǎn)生局部過熱損壞，關(guān)斷速度太慢，距離柵極管腳較遠(yuǎn)的區(qū)域容易產(chǎn)生局部過熱損壞。 3、MOSFET在開通的過程中，RDS（ON）從負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域向正溫度系數(shù)區(qū)域轉(zhuǎn)化；在其關(guān)斷的過程中，RDS（ON）從正溫度系數(shù)區(qū)域向負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域過渡。 AO-Electronics 傲 壹 電 子 官網(wǎng)：http://www.aoelectronics.com 中文網(wǎng)：http://www.aoelectronics.cn 
|
