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鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

發布時間:2021-7-21 16:01    發布者:英尚微電子
關鍵詞: 鐵電存儲器 , FRAM
FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。

功能比較


FRAM
EEPROM
FLASH
SRAM
內存類型
非揮發性
非揮發性
非揮發性
易揮發的
寫法
覆蓋
擦除 + 寫入
擦除 + 寫入
覆蓋
寫周期時間
150ns
5ms
10μs
55ns
讀/寫周期
1013
106
105
無限
升壓電路
No
Yes
Yes
No
數據備份電池
No
No
No
Yes


串行FRAM與EEPROM/閃存
與傳統的非易失性存儲器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有寫入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優勢。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優勢;

性能改進
由于寫入速度快,即使在突然斷電的情況下,鐵電存儲器也能以寫入方式存儲數據。不僅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存儲器更頻繁地記錄數據。寫入數據時,EEPROM和閃存需要高電壓,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通過使用FRAM,可以延長電池供電的小型設備的電池壽命。
總之,FRAM是;

·能夠在突然斷電時以寫入方式存儲數據
·可以進行頻繁的數據記錄
·能夠延長電池供電設備的電池壽命

總成本降低
在工廠對每個產品進行參數寫入的情況下,鐵電存儲器有助于降低制造成本,因為與EEPROM和閃存相比,FRAM可以縮短寫入時間。此外,FRAM可以給您一個芯片解決方案,而不是多芯片解決方案,例如2個芯片由EEPROM+Flash組成,或者3個設備由EEPROM+SRAM+電池組成。

·縮短出廠參數寫入時間
·減少最終產品中使用的零件數量

并行FRAM與SRAM
具有并行接口的鐵電存儲器,兼容電池備份SRAM,可以替代SRAM。通過將SRAM替換為FRAM,客戶希望獲得以下優勢。

總成本降低
使用SRAM的系統需要保持電池狀態檢查。通過更換為FRAM,客戶可以從電池檢查的維護負擔中解脫出來。此外,FRAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。

·免維護;無需更換電池
·設備小型化;可以減少最終產品的許多零件

環保產品
廢舊電池成為工業廢棄物。通過用FRAM替換SRAM+電池,可以減少不必要的備用電池。

·減少電池處理

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