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Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來的一家半導(dǎo)體科技公司，以領(lǐng)導(dǎo)非易失性MRAM存儲芯片為公司主導(dǎo)致力于非易失性存儲芯片的發(fā)展，是全球唯一一家專業(yè)生產(chǎn)銷售磁性隨機存取內(nèi)存(MRAM)，目前該產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個行業(yè)，如人工智能，金融數(shù)據(jù)等。 Everspin一款串口mram芯片，型號為MR25H10CDF，工作溫度范圍：-40℃to+85℃，是一款工業(yè)級別的存儲芯片，可用于工控設(shè)備的應(yīng)用，特別是對溫度有嚴(yán)格要求的應(yīng)用，存儲容量1Mb（128Kx8），數(shù)據(jù)位寬8位。 MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時，沒有寫入延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。MR25H10是用于使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。封裝采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。兩與串行EEPROM，F(xiàn)LASH和FERAM產(chǎn)品兼容。 MR25H10CDF在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍選項。 MR25H10CDF特點 •沒有寫延遲 •無限制寫耐力 •數(shù)據(jù)保留超過20年 •電源損耗的自動數(shù)據(jù)保護 •塊寫保護 •快速，簡單的SPI接口，最高速度為40MHz時鐘速率 •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)溫度 •提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封裝 •直接更換串行EEPROM，F(xiàn)lash，F(xiàn)eram •AEC-Q100等級1選項 MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。everspin MRAM 具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)⒋鎯ζ鞯拿芏扰c SRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。 MR25H10CDF 規(guī)格書下載 
MR25H10.pdf
(2.02 MB)
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