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來源: IT之家 三星電子上周高調宣布開發出 8nm 射頻（RF）芯片制程技術，希望搶攻 5G 領域晶圓代工訂單。 據悉，三星開發了一種獨特的 8nm 射頻專用架構，名為 RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時使用更少的功率。 與 14nm RF 相比，三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 縮放并同時恢復了模擬 / RF 縮放，從而實現了高性能 5G 平臺。此外，新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。 據 Newsis 等消息，三星計劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術服務，以此搶攻 5G 領域。 據介紹，三星這種尖端的代工技術有望提供“單芯片解決方案”，專門用于支持多通道和多天線芯片設計的 5G 通信。三星的 8nm 射頻平臺擴展有望將公司在 5G 半導體市場的領先地位從低于 6GHz 擴展到毫米波應用。 
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