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MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱具有相似的性能優勢：低電壓操作、長壽命和非常高的速度。他們以不同的方式實現這些目標，盡管在每種情況下，性能突破背后都有創新的材料技術。 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個磁性隧道結(1T-1MTJ)架構，將鐵磁材料的磁性“狀態”作為數據存儲元件。由于MRAM使用磁性狀態進行存儲（而不是會隨著時間“泄漏”的電荷），因此MRAM提供了非常長的數據保留時間（+20年）和無限的耐用性。切換磁極化（寫入周期）是磁隧道結(MTJ)上方和下方導線中脈沖電流的結果。來自電流脈沖的相關H場改變了鐵磁材料自由層的極化。 這種磁性開關不需要原子或電子的位移，這意味著沒有與MRAM相關的磨損機制。自由層相對于固定層的磁矩會改變MTJ的阻抗。阻抗的這種變化代表數據的狀態（“1”或“0”）。感測（讀取周期）是通過測量MTJ的阻抗來完成的。MRAM設備中的讀取周期是非破壞性的且相對較快(35ns)。讀取操作是通過MTJ上的極低電壓完成的，支持在部件生命周期內無限操作。Everspin代理英尚微介紹一款AEC-Q1001級非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR MR25H10MDFR是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備，組織為131,072個8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時序，無寫延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發生，寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，MR25H10MDFR是理想的存儲器解決方案。 MR25H10MDFR采用5mmx6mm 8引腳DFN封裝DFN Small Flag封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。MR25H10MDFR在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供AEC-Q1001級（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項。 特性 •無寫入延遲 •無限寫入耐久性 •數據保留超過20年 •斷電時自動數據保護 •塊寫保護 •快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業溫度 •提供8針DFN Small Flag RoHS兼容 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •AEC-Q1001級選項 MR25H10規格書下載 
MR25H10.pdf
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