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不要將多個(gè)探頭同時(shí)連接到同一位置

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發(fā)表于 2021-6-8 13:54:04 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
       我們知道,所有測量儀器(包括示波器)都有其性能的限制,都會(huì)對測量結(jié)果帶來影響。我們要使用特定的探頭將示波器連接到電路上的行為會(huì)以特定的方式影響測量。探頭在測試點(diǎn)與待測電路并聯(lián),通過施加額外的電阻電容負(fù)載來影響電路。
       此外,由于帶寬、上升時(shí)間和共模響應(yīng)的限制,探頭本身也限制了測量的準(zhǔn)確度。因此,在進(jìn)行測量時(shí),比較不同的探頭對測量的影響是不同的,但不要嘗試一次全部完成。
       如果同時(shí)將兩個(gè)或多個(gè)探頭連接到同一測試點(diǎn),會(huì)發(fā)生什么情況?探頭之間會(huì)相互影響,改變彼此的響應(yīng)。
       讓我們看一下兩種不同的探頭分別如何影響LED驅(qū)動(dòng)器中上側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器測量的情況。一種探頭是高壓光纖光隔離探頭(HVFO),另一個(gè)“探頭”是一個(gè)老式的差分放大器(DA),它使用一對匹配的高壓探頭來實(shí)現(xiàn)差分輸入。
       首先,分別使用每個(gè)探頭進(jìn)行測量,如下圖所示。
       用DA探頭進(jìn)行的測量顯示出更多異常,與HVFO探頭相比,大多數(shù)異常可歸因于較差的共模抑制比(CMRR)。這在正脈沖的上升沿之前的負(fù)脈沖中最為明顯,這發(fā)生在下側(cè)MOSFET狀態(tài)改變時(shí),這是一個(gè)很快的dV/dT事件,會(huì)產(chǎn)生明顯的共模干擾。具有較高CMRR的HVFO探頭受到的影響較小:與DA探頭相比,幅度小一半。在脈沖的基線和頂部,DA探頭測量的波形傾斜可能是由其探頭對的負(fù)載引起的。
       現(xiàn)在,讓我們看一下同時(shí)在電路中使用HVFO和DA探頭進(jìn)行測量的結(jié)果,如下圖所示。
       當(dāng)兩個(gè)探頭同時(shí)連接時(shí),它們會(huì)相互增加負(fù)載,從而導(dǎo)致其響應(yīng)發(fā)生變化。請注意,當(dāng)獨(dú)立進(jìn)行測量時(shí),HVFO探頭的負(fù)尖峰幅度更小。DA探頭的額外負(fù)載降低了HVFO探頭的CMRR。此外,DA的電路負(fù)載改變了測試點(diǎn)的波形,而HVFO測量的波形也隨之改變。從本質(zhì)上講,DA的負(fù)載已與HVFO探頭結(jié)果耦合在一起。
       顯而易見的結(jié)論是,不應(yīng)同時(shí)使用多個(gè)探頭連接到同一測試點(diǎn)進(jìn)行測量。如果要比較不同探頭的結(jié)果,最好的進(jìn)行方法是單獨(dú)測量,將采集的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到示波器存儲(chǔ)器中。然后,可以調(diào)出波形并將其與實(shí)時(shí)采集的波形或另一個(gè)存儲(chǔ)的波形進(jìn)行比較,而不會(huì)影響探頭的負(fù)載。
       以上內(nèi)容由普科科技PRBTEK整理,公司致力于示波器測試附件配件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,涵蓋產(chǎn)品包含電流探頭、差分探頭、高壓探頭、無源探頭、電源紋波探頭、柔性電流探頭、近場探頭、邏輯探頭、功率探頭和光探頭等,滿足客戶多樣化測試需求,庫存充足,價(jià)格合理。詳情訪問官網(wǎng)www.prbtek.com

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