Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模塊可支持新一代微處理器

發(fā)布時間：2021-3-17 09:24 發(fā)布者：eechina

器件采用PowerPAK 5 mm x 6 mm封裝，內置電流和溫度監(jiān)測功能，滿足基礎設施、云計算和圖形卡應用需求

Vishay 推出九款采用熱增強型5 mm x 6 mm PowerPAK MLP56-39封裝，集成電流和溫度監(jiān)測功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower 智能功率模塊。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模塊提高能效和電流報告精度，降低數據中心和其他高性能計算，以及5G移動基礎設施通信應用的能源成本。

產品編號	PWM電平	電流	輸入電壓
SiC822	5 V	70 A	4.5 V - 16 V
SiC822A	3.3 V	70 A
SiC820	5 V	80 A
SiC820A	3.3 V	80 A
SiC840	5 V	100 A
SiC840A	3.3 V	100 A
SiC832	5 V	70 A	4.5 V - 21 V
SiC832A	3.3 V	70 A
SiC830	5 V	80 A
SiC830A	3.3 V	80 A

日前發(fā)布的功率模塊含有功率MOSFET和先進的驅動IC。為提高能效，器件內部MOSFET采用先進的TrenchFET Gen IV技術，這一技術確立行業(yè)性能基準，顯著降低開關和傳導損耗。SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極管仿真模式，提高全負載范圍的效率。

采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案，電流報告精度為7 %，而SiC8xx 系列器件采用低邊MOSFET進行檢測，精度誤差小于3 %。從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)（SoC）性能，改進熱管理。器件適用于同步降壓轉換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。

SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V（如表中所示），開關頻率高達2 MHz。故障保護功能包括高邊MOSFET短路和過流報警、過熱保護和欠壓鎖定（UVLO）。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三態(tài)PWM邏輯電平，兼容各種PWM控制器。

智能功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產，供貨周期為16周。

本文地址：http://www.4huy16.com/thread-762571-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。