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VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。 VTI7064特征 -SPI總線接口： 兼容SPI 兼容SQI 所有模式的時(shí)鐘頻率均為20MHz 低功耗CMOS技術(shù)： 讀取電流：25mA 待機(jī)電流：典型值150uA -無(wú)限的讀寫(xiě)周期 -8Mx8位組織和1KB頁(yè)面大小 -高可靠性 -符合RoHS -8引腳SOIC封裝 -支持的溫度范圍： 擴(kuò)展（E）：-25°C至+85°C 工業(yè)（I）：-40°C至+85°C 引腳說(shuō)明 8pin SOIC 1.5mil 接口說(shuō)明 1、地址空間 所有設(shè)備都是字節(jié)可尋址的。64M設(shè)備用A[22：0]尋址。 2、頁(yè)長(zhǎng) 讀和寫(xiě)操作始終是線性地址空間。只要滿足tCEM（max。），線性連發(fā)就可以跨越頁(yè)面邊界。 3、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 器件以50Ω上電。 4、開(kāi)機(jī)狀態(tài) 器件在SPI模式下上電。開(kāi)始任何操作之前，必須將CE＃設(shè)置為高。 5、命令/地址鎖存真相 設(shè)備可以識(shí)別各種輸入法指定的以下命令 備注：S=串行I/O，Q=四通道I/O。 133（104）表示133Mhz@1.8V和104Mhz@3.3V。 *84Mhz是允許跨頁(yè)面邊界訪問(wèn)的最大工作時(shí)鐘頻率。 6、命令終止 所有所有讀和寫(xiě)都必須由CE＃從低到高完成。CK＃的上升沿是終止已激活的讀/寫(xiě)字線并將設(shè)備設(shè)置為待機(jī)狀態(tài)的觸發(fā)器，否則將阻止內(nèi)部刷新操作，直到設(shè)備看到讀/寫(xiě)字線已終止，無(wú)需執(zhí)行命令終止操作僅適用于讀取和寫(xiě)入操作以及任何命令操作，例如Enter Quad模式命令和Reset命令。 關(guān)于VTI Vilsion技術(shù)公司。是設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和銷售用于汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)的高性能集成電路的翹楚。主要產(chǎn)品是高速SRAM，Seiral SRAM和 低功耗SRAM。其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性以及完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。VTI代理英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。 VTI7064型號(hào)表
VTI7064LSMxx.pdf
(1.18 MB)
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| VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。 |
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VTI7064特征 -SPI總線接口： 兼容SPI 兼容SQI 所有模式的時(shí)鐘頻率均為20MHz 低功耗CMOS技術(shù)： 讀取電流：25mA 待機(jī)電流：典型值150uA -無(wú)限的讀寫(xiě)周期 -8Mx8位組織和1KB頁(yè)面大小 -高可靠性 -符合RoHS -8引腳SOIC封裝 -支持的溫度范圍： 擴(kuò)展（E）：-25°C至+85°C 工業(yè)（I）：-40°C至+85°C |
