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XRAM是一種新的存儲器體系結構，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新體系結構，顯著提高了存儲器密度，性能并簡化了用戶界面。 XM8A51216是星憶存儲科技公司生產的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態內存芯片。該國產SRAM芯片具有如下幾個特點： ⚫高速。具有最高訪問速度10/12ns。 ⚫低功耗。 ⚫TTL電平兼容。 ⚫全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。 ⚫三態輸出。 ⚫字節控制功能。支持高/低字節控制。 XM8A51216功能框圖 圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數據線，總共16根數據線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節控制和低字節控制信號； XM8A51216原理圖 XM8A51216在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產品相關技術支持及解決方案。 要寫入設備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設為低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數據被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節高使能（BHE）為低電平，則來自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數據將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時將寫入使能（WE）設為高電平。如果字節低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數據出現在DQ0至DQ7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數據出現在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態寫操作（CE和WELOW）。突發模式引腳（MODE）定義突發序列的順序。當置為高電平時，選擇交錯的突發序列。當拉低時，選擇線性突發序列。 
XM8A51216V33(8M).pdf
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