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日本爾必達今天宣布，已經開始試驗性出貨業內第一款采用TSV硅穿孔(又稱硅通孔)堆疊工藝制造的DDR3 SDRAM內存顆粒。TSV全稱為Through Silicon Via，是一種新型三維堆疊封裝技術，主要是將多顆芯片(或者晶圓)垂直堆疊在一起，然后在內部打孔、導通并填充金屬，實現多層芯片之間的電連接。 相比于傳統的引線連接多芯片封裝方式，TSV能夠大大減少半導體設計中的引線使用量，降低工藝復雜度，從而提升速度、降低功耗、縮小體積，也是IBM、Intel等行業巨頭競相追逐的新技術。 爾必達從2004年開始從事TSV技術的研發，并獲得了日本政府發起的新能源與產業技術開發組織(NEDO)的資助。2009年，爾必達成功開發了業內第一款TSV DRAM芯片，使用八顆1Gb DDR3 SDRAM堆疊封裝而來。 爾必達此番推出的樣品是一種低功耗的8Gb DDR3 SDRAM內存顆粒，使用TSV技術將四顆2Gb DDR3 SDRAM封裝在一塊芯片內而來，1.5V電壓下頻率可達1600MHz，1.35V低電壓下則是1066/1333MHz。 爾必達稱，這種新型顆粒用在SO-DIMM筆記本內存條上，能夠降低20％的讀寫功耗和50％的待機功耗，而且還非常環保。 對于一條2GB容量的筆記本內存來說，使用傳統顆粒需要八顆芯片，換上TSV工藝的則僅需兩顆，芯片所占空間會因此大幅減少70％，自然有利于打造更輕薄的筆記本、平板機產品。 
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