Ramtron宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay™)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、軍事、游戲和計算應(yīng)用及其它領(lǐng)域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產(chǎn)品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C。 Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節(jié)寫入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數(shù)據(jù)之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無延遲特性，能夠以標(biāo)準(zhǔn)總線速度寫入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬億個寫入周期，而EEPROM只有100萬個寫入周期。相比同類非易失性存儲器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流。 2009年年初Ramtron和IBM達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，IBM在其位于美國佛蒙特（Vermont）州Burlington的先進(jìn)晶圓生產(chǎn)設(shè)施中部署Ramtron的F-RAM半導(dǎo)體工藝技術(shù)。Ramtron的專有F-RAM技術(shù)堆棧已經(jīng)整合到IBM的 0.18微米CMOS工藝中，用于生產(chǎn)Ramtron的標(biāo)志性高性能非易失性F-RAM產(chǎn)品。IBM擁有世界級代工服務(wù)，為Ramtron現(xiàn)有產(chǎn)品及新產(chǎn)品開發(fā)計劃提供了具有成本效益的靈活制造平臺。 Ramtron是在半導(dǎo)體產(chǎn)品中采用鐵電材料的先驅(qū)企業(yè)，開發(fā)了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機(jī)存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結(jié)合了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數(shù)據(jù)儲存特性，即無電存儲數(shù)據(jù)的能力。自從這項技術(shù)商業(yè)化以來，Ramtron已經(jīng)在嚴(yán)苛的應(yīng)用領(lǐng)域銷售了數(shù)億個F-RAM器件，包括汽車安全和娛樂系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)過程控制系統(tǒng)、智能電表和消費(fèi)打印機(jī)墨盒。F-RAM技術(shù)是市場上功效最高的非易失性存儲器技術(shù)，有望為超高效電池供電產(chǎn)品和能量收集應(yīng)用的開發(fā)鋪平道路。要了解更多的信息，請訪問公司網(wǎng)站www.ramtron.com。 |
