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包括賽普拉斯半導體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司在內的QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM（靜態隨機存取存儲器）。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲（MHz）的時鐘頻率允許。這些器件將與現有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網絡交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設計，只需提高系統內時鐘速度即可大幅改善產品性能。 新型QDR II+ Xtreme SRAM將采用x18 o或x36字寬，4或2次突發訪問。4次突發器件的隨機存取速率（RTR）可達每秒6.33億次，工作時鐘頻率為633MHz，這是QDR SRAM器件現有的最高速度。2次突發器件以450MHz的頻率工作，RTR可達每秒9億次隨機傳輸，這比以同樣頻率運行的上一代4次突發器件的RTR提高了一倍。 隨機存取速率的定義是每秒進行的完全隨機存取次數，是重要的存儲器指標，用以衡量增加的線或交換速度。 賽普拉斯存儲器事業部執行副總裁Dana Nazarian 說：“QDR II+ Xtreme產品無需重新進行系統設計即可大幅提升性能，這對于期望趕上流量要求步伐的網絡設備制造商非常有吸引力。QDR聯盟正積極制定一系列后續解決方案，以支持網絡工業界對存儲器不斷提高的要求。” 瑞薩電子公司工業和網絡事業部高級經理Hiroyuki Goto說：“SRAM器件是追求高性能存儲器解決方案的客戶的另一個很好的選擇。我們很高興能以QDR II+ Xtreme架構保持領先地位。” 供貨情況 賽普拉斯的36兆比特(Mb)和72Mb QDR II+ Xtreme器件的工程樣片將于2011年年中向領先客戶提供。 |
