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高可靠性的cypress異步SRAM

發(fā)布時(shí)間:2020-8-19 14:00    發(fā)布者:宇芯電子
關(guān)鍵詞: cypress , 異步SRAM , SRAM
Cypress半導(dǎo)體公司生產(chǎn)高性能SRAM產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。異步快速存儲(chǔ)器芯片簡稱為:AsyncSRAM,速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V,可以滿足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計(jì)。Cypress代理宇芯電子本篇文章將介紹具有高可靠性的cypress異步SRAM產(chǎn)品。

憑借可滿足各種高可靠性工業(yè),通信,數(shù)據(jù)處理,醫(yī)療,消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能,快速和微功耗,SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無需投資PCB重新設(shè)計(jì)就可以提高系統(tǒng)可靠性。

具有ECC框圖的快速SRAM



高可靠性:軟錯(cuò)誤率<0.1FIT/Mbit
ERR引腳指示單位錯(cuò)誤
密度選項(xiàng):4Mbit,8Mbit,16Mbit
快速訪問時(shí)間:10ns(FAST)
超低待機(jī)電流:8.7μA(4MbitMoBL®)
總線寬度配置:x8,x16和x32
寬工作電壓范圍:1.8-5.0V
工業(yè)和汽車溫度等級(jí)

PowerSnooze™



具有PowerSnooze框圖的快速SRAM


賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商,該器件系列將快速異步SRAM的訪問時(shí)間與獨(dú)特的超低功耗睡眠模式(Power Snooze™)相結(jié)合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了異步SRAM應(yīng)用中性能與功耗之間的折衷。在這個(gè)新的設(shè)備系列中,通過提供一種稱為Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式,可以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有產(chǎn)品系列的最佳功能。Power Snooze是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM操作模式(活動(dòng),待機(jī)和數(shù)據(jù)保留)的附加操作模式。深度睡眠引腳(DS#)使器件可以在高性能活動(dòng)模式和超低功耗Power Snooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時(shí),

異步SRAM技術(shù)增強(qiáng)

糾錯(cuò)碼(ECC)

賽普拉斯最新一代的異步SRAM器件使用(38,32)漢明碼ECC進(jìn)行單位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正。賽普拉斯超可靠異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有與ECC相關(guān)的功能,而無需用戶干預(yù)。

多位交織

高能量的地外輻射會(huì)翻轉(zhuǎn)多個(gè)相鄰位,從而導(dǎo)致多位錯(cuò)誤。糾錯(cuò)碼的單比特錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正功能通過比特交織方案進(jìn)行了補(bǔ)充,以防止出現(xiàn)多比特錯(cuò)誤。

這些功能加在一起,可以顯著改善軟錯(cuò)誤率(SER)性能,從而導(dǎo)致業(yè)界領(lǐng)先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。

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宇芯電子 發(fā)表于 2020-8-19 14:01:34
憑借可滿足各種高可靠性工業(yè),通信,數(shù)據(jù)處理,醫(yī)療,消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能,快速和微功耗,SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無需投資PCB重新設(shè)計(jì)就可以提高系統(tǒng)可靠性。
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