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來源：cnBeta 三星宣布與合作伙伴一同發現了一種名為非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先進技術研究院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學技術研究院(UNIST)以及劍橋大學合作進行了這一發現。合作者在《自然》雜志上發表了他們的研究成果，并認為這種材料將 "加速下一代半導體的出現"。 三星在解釋新發現的非晶氮化硼時表示，它由硼和氮原子組成，具有非晶分子結構，新材料來源于白色石墨烯，但不同的分子結構使得a-BN與白色石墨烯 "有獨特的區別"。 三星表示，a-BN有望廣泛應用于DRAM和NAND解決方案，因為它能夠最大限度地減少電干擾，并且可以在400℃的相對低溫下完成晶圓的規模生長。 石墨烯項目負責人、SAIT首席研究員Hyeon-Jin Shin在評論這種材料時說。 "為了提高石墨烯與硅基半導體工藝的兼容性，應在低于400℃的溫度下實現半導體基板上的晶圓級石墨烯生長。我們也在不斷努力，將石墨烯的應用擴展到半導體之外。" 該公司沒有給出希望何時開始在其硬件產品中使用這種新材料的日期，但表示可以將其應用于半導體，特別是大規模服務器的下一代存儲器解決方案中的DRAM和NAND方案。 |
