|
晶圓代工廠近來積極布局第三代半導體材料氮化鎵(GaN)，除龍頭廠臺積電已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化鎵)晶圓代工服務外，世界先進GaN制程也預計年底送樣，聯電同樣積極投入GaN制程開發，攜手子公司聯穎布局高效能電源功率元件市場。 聯電表示，GaN制程開發是現有研發計劃中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠聯穎合作，仍處于研發階段，初期將以6英寸晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向8英寸代工。 聯穎是聯電持股81.58%子公司，為其新投資事業群的一員，提供6英寸砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地臺、物聯網、國防航太、光纖通信、光學雷達，及3D感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損新臺幣2.79億元，今年首季則虧損新臺幣861萬元。 目前包括臺積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科，6英寸GaN-on-Si晶圓代工制程均已量產；臺積電今年2月也宣布結盟意法半導體，意法將采用臺積電的GaN制程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。 世界先進在GaN材料上已投資研發4年多，與設備材料廠Kyma、及轉投資GaN矽基板廠Qromis攜手合作，著眼開發可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。 |
