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迅速發(fā)展的IoT繼續(xù)為消費(fèi)者和行業(yè)帶來革命性的變化，并增強(qiáng)了他們的日常使用體驗(yàn)，尤其是在邊緣增加處理能力的需求下。健身追蹤器和智能揚(yáng)聲器，農(nóng)業(yè)及工廠機(jī)器都是這樣的例子。特定的應(yīng)用程序都規(guī)定了內(nèi)存要求。豐富的嵌入式物聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)推動了對更多外部板載內(nèi)存的需求。 在這些應(yīng)用程序中添加AI/ML進(jìn)一步改變了內(nèi)存需求，通常需要更多和更高帶寬的內(nèi)存。物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序需要保持受約束的物理外形尺寸，功率散熱范圍以及較低的BOM成本，這增加了其他設(shè)計(jì)約束。對于這些應(yīng)用程序來說，理想的候選內(nèi)存應(yīng)該是什么問題，現(xiàn)在已經(jīng)成為許多產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的首要任務(wù)，提出并研究了新的存儲器類型。基于PSRAM技術(shù)的AP存儲器IoT ram存儲器解決方案已與IoT /嵌入式設(shè)備中普遍使用的許多現(xiàn)有MCU/SoC/FPGA無縫協(xié)作，解決了對額外外部存儲器的需求，同時(shí)使設(shè)計(jì)人員更容易遵守其外部存儲器產(chǎn)品設(shè)計(jì)約束。 圖1需要更多內(nèi)存的IoT /嵌入式應(yīng)用程序 嵌入式/外部SRAM和DRAM解決方案的時(shí)間已不多了 SRAM仍然是最接近處理器的高速訪問存儲器，具有最高的速度和最低的延遲。然而SRAM具有幾個(gè)缺點(diǎn)。常規(guī)的6T SRAM布局拓?fù)錈o法與過程節(jié)點(diǎn)的縮小相對應(yīng)地?cái)U(kuò)展。當(dāng)由于對更豐富的IoT應(yīng)用程序的需求而對更多內(nèi)存的需求不斷增加時(shí)，這同時(shí)發(fā)生。嵌入式SRAM產(chǎn)生的泄漏功率會隨著CPU功耗的使用而不斷增加。對于功耗優(yōu)化的情況（對于最新的IoT應(yīng)用程序存在更高的內(nèi)存要求），這顯然不是最佳選擇，因此SRAM將是一個(gè)棘手的解決方案。 圖2位單元趨勢顯示隨著過程節(jié)點(diǎn)縮小，縮放比例逐漸減小。 外部DRAM也可以考慮用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并且由于其性能而仍比SRAM保持顯著的成本優(yōu)勢，它由單個(gè)晶體管和電容器組成，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的陣列密度。對于大多數(shù)插入電氣主線的應(yīng)用，外部DRAM可能是可接受的解決方案。但是外部DRAM的引腳數(shù)很高，集成起來很復(fù)雜。同樣傳統(tǒng)的低密度SDRAM是在較舊的處理節(jié)點(diǎn)上設(shè)計(jì)的，并且由于其大小，它們不適用于許多緊湊型節(jié)能系統(tǒng)。是否有一種內(nèi)存替代方案可以在滿足更豐富的物聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)不斷增長的需求的同時(shí)，保持較高的性能水平，降低成本和降低功耗？ |
| 基于PSRAM技術(shù)的AP存儲器IoT ram存儲器解決方案已與IoT /嵌入式設(shè)備中普遍使用的許多現(xiàn)有MCU/SoC/FPGA無縫協(xié)作，解決了對額外外部存儲器的需求，同時(shí)使設(shè)計(jì)人員更容易遵守其外部存儲器產(chǎn)品設(shè)計(jì)約束。 |
| 外部DRAM也可以考慮用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，并且由于其性能而仍比SRAM保持顯著的成本優(yōu)勢，它由單個(gè)晶體管和電容器組成，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的陣列密度。 |
| 對于大多數(shù)插入電氣主線的應(yīng)用，外部DRAM可能是可接受的解決方案 |
