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銳迪科RDA5802N芯片采用中芯國際達55nm低漏電工藝平臺

發布時間:2011-3-11 02:05    發布者:1770309616
銳迪科微電子中國射頻IC公司與中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)日前共同宣布銳迪科RDA5802N調頻接收器(RF Receiver)芯片,一個采用中芯國際的55納米低漏電(LL)工藝平臺以及寅通科技IP解決方案的產品已于日前開始量產。

       RDA5802N,一個中國領先的FOT(Foundry-Owned-Tooling)調頻接收器產品,是由銳迪科、中芯國際與寅通科技協同努力的項目。銳迪科開發的創新產品設計整合了新一代的單芯片立體聲廣播調頻接收器以及完全集成電子合成器,IF選擇以及MPX解碼器。銳迪科采用寅通科技的IP解決方案以及中芯國際先進的55納米低漏電制程技術。此聯合開發成功使該產品達到性能優化的里程碑,提供便攜設備極其需要的介于高性能、低功耗之間完美的平衡。   

    “我們非常高興能夠與銳迪科和寅通科技合作。RDA5802N進入量產標志著在中國55nm調頻接收器開發項目一個前所未有的突破,”中芯國際商務長兼資深副總裁季克非表示。“中芯國際標榜我們能夠提供中國最先進的55納米工藝技術和IP解決方案。銳迪科RDA5802N芯片的成功鞏固了中芯國際作為中國的先進半導體代工廠的領導地位。我們有絕對的信心能為我們的客戶帶來更具可靠性,穩定性,和較低成本的世界一級解決方案。”   

     “我們很滿意中芯在掌控這顆產品生產挑戰的能力”,銳迪科的首席執行官戴保家表示。“作為在射頻以及混合信號市場上的主要供應商,我們與中芯國際以及寅通科技三方的密切合作加速了的RDA5802N的開發,使我們能夠以最先進的技術為我們的客戶提供調頻收音機接收器芯片。這是一個協作關系最好的例子,充分利用專業知識與經驗相結合來推動新一代產品的面市。”
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