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將輸出電流提高50%的雙極功率晶體管3STR1630(ST)

發布時間:2011-3-9 17:10    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: 功率晶體管 , 雙極
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出全新高性能雙極功率晶體管系列的首款產品。新產品集多種卓越性能于一身,包括高輸出電流、高集電極-發射極截止電壓及超低集電極-發射極飽和電壓,是LED驅動、電機驅動器和繼電器驅動電路和直流-直流轉換器的最佳選擇。

3STR1630是一款采用最新低壓平面工藝制造的NPN型晶體管。意法半導體在平面技術工藝中加入一種雙金屬層制程,可將單元密度提高近一倍,而無需使用復雜的蝕刻設備。

除了將同一芯片上的輸出電流提高50%,雙金屬層制程還可為晶體管實現高達100V的Vceo額定電壓,高達300kHz的工作開關頻率及有效降低40%的Vce(sat)電壓。

作為新系列產品的首款產品,3STR1630擁有最低30V的BVCEO電壓,提供在28V截止電壓與最小Vce(sat)電壓之間的最佳平衡,在hFE值等于50時,等效通態電阻僅為100mΩ。此外,新產品盡管采用緊湊型SOT-23封裝,但連續輸出電流仍高達6A。



3STR1630現已量產。
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