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新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器提高逆變器級工作效率

發布時間:2019-8-18 18:32    發布者:heshuhan

  日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新的2.5AIGBTMOSFET驅動器,擴展其光電產品組合。VishaySemiconductorsVOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝,低壓降輸出電流損耗僅為3.5mA,可用于提高逆變器級工作效率。下面來看看文章的介紹。
  日前發布的光耦采用CMOS技術,含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAsLED,為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使其成為直接驅動1200V/100A額定值IGBT的理想選擇。
  器件高隔離電壓分別為VIORM=891V,VIOTM=6000V,可用于電機驅動器、太陽能逆變器、開關電源(SMPS)、感應爐面、不間斷電源(UPS)電流隔離。此外,其欠壓鎖定(UVLO)功能避免IGBT/MOSFET發生故障,最低35kV/μs共模瞬變抑制能力有助于消除PCB高壓到低壓區域噪聲問題。
  光耦最大傳播延遲為0.5μs,極為適于要求快速開關的應用。器件符合RoHS標準,可在15V至30V電源電壓和-40°C至+105°C工業溫度下工作。
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