比利時半導體研究機構IMEC最近宣布在其設在比利時魯汶的研究設施中安裝了一臺ASML生產的NXE:3100試產型EUV光刻機。IMEC機構的總裁 兼CEO Luc Van den hove會在今天召開的SPIE高級光刻技術會議（SPIE advanced lithography conference）上所作的演講中介紹這臺光刻機的有關信息。這次IMEC安裝的NXE:3100 EUV光刻機配備了高功率優化光源系統，彰顯了IMEC欲將EUVL技術推廣向實用領域的雄心。
NXE:3100光刻機配備了采用放電激發等離子體技術（DPP (discharge produced plasma)）的EUV光源系統，這套光源系統由Extreme Technologies公司制作。在同樣的制程條件下，NXE:3100的晶圓加工產出量相比早先推出的EUV Alpha Demo Tool光刻機提升了20倍左右，而產出量的極大提升則是源自于新機型光源功率的提升，透射率的提升以及雙工作臺(dual stage：即可同時加工兩片晶圓)的新設計。
pattern collapse圖例 IMEC的EUVL技術研究計劃的主要課題是，將14nm制程邏輯電路和2xnm及1xnm制程存儲電路集成在一起制造，并解決制造過程中使用EUV與傳統光刻系統在芯片制造工藝方面存在差異的問題，另外，研究的課題還將包括如何解決EUV光刻圖形線邊緣粗糙度不佳，以及圖形倒線（pattern collapse），掩膜版缺陷（ reticle defectivity）等問題。IMEC光刻技術分部的主管Kurt Ronse說：“本周我們會在SPIE高級光刻技術會議上公開28份技術文件，這些文件會介紹我們和我們的合作伙伴一起在EUV光阻和掩膜版缺陷控制方面所取得一些重大成就�！� |
