貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Infineon Technologies的CoolGaN 氮化鎵 (GaN) HEMT。CoolGaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度，幫助實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體電源的快速開(kāi)關(guān)。CoolGan HEMT同時(shí)適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)�，�?a href="http://www.4huy16.com/keyword/無(wú)線充電" target="_blank" class="relatedlink">無(wú)線充電、開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電信、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等應(yīng)用的理想選擇。
與硅開(kāi)關(guān)器件相比，貿(mào)澤電子供應(yīng)的Infineon CoolGaN HEMT品質(zhì)更為出眾。相較于硅晶體管，CoolGaN HEMT的輸出電容與柵極電荷只是其十分之一，但擊穿場(chǎng)強(qiáng)卻是其十倍，移動(dòng)性能是其兩倍。CoolGaN HEMT經(jīng)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)通和關(guān)斷，采用新拓?fù)浜?a href="http://www.4huy16.com/keyword/電流" target="_blank" class="relatedlink">電流調(diào)制技術(shù)打造出了創(chuàng)新型開(kāi)關(guān)解決方案。HEMT的表面貼裝封裝可保證開(kāi)關(guān)功能完全可用，而其緊湊型設(shè)計(jì)使其適合各種空間受限的應(yīng)用。 Infineon CoolGaN氮化鎵HEMT受EVAL_1EDF_G1_HB_GAN和EVAL_2500W_PFC_G評(píng)估平臺(tái)的支持。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN電路板配備CoolGaN 600 V HEMT和Infineon GaN EiceDRIVER 柵極驅(qū)動(dòng)IC，可幫助工程師評(píng)估轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用的通用半橋拓?fù)涞母哳lGaN功能。EVAL_2500W_PFC_G電路板內(nèi)含CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS C7 Gold超結(jié)MOSFET和EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供2.5 kW全橋功率因數(shù)校正 (PFC) 評(píng)估工具，對(duì)于SMPS和通信整流器之類(lèi)對(duì)能耗比較看重的應(yīng)用，可將其系統(tǒng)效率提升到99%以上。 更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.mouser.com/infineon-coolgan-hemts。 |
