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依靠村田＊的半導體（硅）技術開發的獨特的集成無源器件和設備（Integrated Passive Devices），可以解決此類需要高可靠性的用途的各種問題。利用半導體工藝，開發極深溝槽結構的硅電容器，靜電容量密度高達6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的擊穿電壓為150V to 11V）。本公司的半導體（硅）技術，依靠可以生成超過900℃的高溫退火的高純度氧化膜，完全控制的生產工藝，與其他的電容器技術相比，可靠性最高達到后者的10倍。依靠這項技術，使DC電壓與整個工作溫度范圍的靜電容量的穩定性極為優秀。并且，因為硅在本質上電介質吸收很小，壓電效應也很小，或者幾乎沒有，所以也沒有存儲效應。以硅為基礎的技術符合RoHS標準。 * Murata Integrated Passive Solutions S.A.（舊IPDiA） 
特點 100μm的極薄型 低漏電流 高穩定性（溫度、電壓） 老化后靜電容量也極少下降。 支持標準的引線鍵合封裝（球和楔） 用途 雷達、基礎設施無線通信、數據播放等要求嚴格的所有用途 焊盤完全平坦，因此標準的引線鍵合（在上下面鍍金）比MLCC容易 去耦、DC噪聲、高次諧波濾除、匹配電路（例如GaN功率放大器、LDMOS） 高可靠性用途 要求小型化和薄型的用途（100μm） 與單層陶瓷電容器、金屬氧化膜半導體完全兼容 WLSC系列規格
(*) 也能根據客戶要求提供其他的規格值 (*2) 包裝材料除外 (*3) 引線鍵合、嵌入 系列一覽
關于其他的規格值，請向本公司銷售人員咨詢。詳見下方鏈接： AO-Electronics 傲壹電子 官網：www.aoelectronics.com 中文網：www.aoelectronics.cn
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