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如何創(chuàng)建可編程輸出反相降壓-升壓穩(wěn)壓器

發(fā)布時間:2018-11-16 14:58    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 降壓-升壓 , LMZM33606
作者:德州儀器Akshay Mehta, Frank De Stasi

在很多應(yīng)用中,尤其是測試和測量領(lǐng)域,您都需要借助外部裝置或數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器設(shè)置反相降壓/升壓穩(wěn)壓器的輸出電壓。在常規(guī)的降壓拓?fù)渲校@種操作很簡單:只需要借助一個帶有串聯(lián)電阻器的電壓電源、一個電流源或者一個DAC將電流導(dǎo)入反饋節(jié)點(diǎn),如圖1所示。


1.采用降壓拓?fù)涞目删幊屉妷?br />
但是,如果您需要改變降壓-升壓拓?fù)渲械碾娮杵鞯碾妷海陀幸稽c(diǎn)麻煩了。

您可以通過反相接地和VOUT電位并使集成電路的參考位于-VOUT電位而配置降壓-升壓拓?fù)渲械慕祲悍(wěn)壓器。也就是說穩(wěn)壓器集成電路的接地腳位于-VOUT。由于穩(wěn)壓器的FB引腳位于-VOUT電位而非接地電位上,將電流導(dǎo)入FB引腳便有一點(diǎn)棘手。為將電流導(dǎo)入反相降壓-升壓拓?fù)渲械腇B引腳,您需要電平移動電壓源/DAC的信號。在本文中,我將向大家介紹一些不同的方法。

以德州儀器的LMZM33606為例。LMZM33606是一個額定輸入電壓為36V的降壓電源模塊,最大負(fù)載為6A。 圖2說明了如何將LMZM33606設(shè)置為反相降壓-升壓穩(wěn)壓器。


2.利用LMZM33606反相降壓-升壓。

方法1:使用一個PNP的電平位移器

在這些降壓-升壓應(yīng)用中使用LMZM33606時,可以實(shí)現(xiàn)-15V至-5V的可編程輸出電壓范圍。通過電流源方法,您能夠以絕對量級調(diào)低穩(wěn)壓器的輸出。這樣,在設(shè)置反饋分頻器電阻器時,便可以將設(shè)計(jì)的默認(rèn)輸出設(shè)為-15V。添加外部電流源時,您可以將穩(wěn)壓器輸出設(shè)置為-5V。默認(rèn)輸出為-15V時,計(jì)算的高反饋值和低反饋值分別為:

•        RFBT = 100kΩ.
•        RFBB = 7.42kΩ.

電平位移接地參考信號以將電流導(dǎo)入FB引腳的最簡單的方法是,使用單PNP型雙極性晶體管(BJT)。圖三說明了如何將一個單PNP作為電平位移器使用。


3.使用單PNP的部署。

PNP Q1的基極接地,反射極通過電阻器連接DAC/電壓源。電壓源高于PNP基地發(fā)射下拉(VBE)時,會產(chǎn)生等式1所述的電流:



Rext設(shè)定為50kΩ。FB節(jié)點(diǎn)可以應(yīng)用基爾霍夫電流定律,您可以使用等式2計(jì)算電流IX:



在等式2中代入等式1,得出等式3,由此可以計(jì)算出調(diào)整輸出電壓VOUT所需的編程電壓VX:



將等式3變成等式4,可以得出根據(jù)VX值進(jìn)行變成的VOUT:



等式4說明了VOUT對晶體管VBE的從屬關(guān)系。晶體管VBE本身取決于集電極電流,隨溫度變化時,會影響編程VOUT的精確度。

下一個方法說明了如何從等式中移除VBE。圖4所示是一個有兩個PNP晶體管的電路,所采用的連接方式可以抵消VBE的影響。
方法2:使用兩個PNP的電平位移器


4.使用兩個PNP抵消VBE的部署。

本方法需要使用兩個PNP,最好是使用兩個組合包裝的PNP BJT,以確保兩個晶體管之間匹配良好。本方法還可以減少輸出電壓編程中的錯誤。

Q1晶體管的基極連接至程控電壓源。發(fā)射極經(jīng)由一個串聯(lián)電阻器RS連接至另一個正電軌,并且集電極接地。這樣便可以在晶體管的發(fā)射極形成一個VX + VBE電壓。Q2晶體管的發(fā)射極通過電阻器RX連接至Q1的發(fā)射極。RX設(shè)置導(dǎo)入FB節(jié)點(diǎn)的電流。基極接地后,Q2發(fā)射極節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生一個+VBE。等式5計(jì)算了流至發(fā)射極的電流(理想情況):



之前曾解釋過,晶體管的VBE取決于集電極電流,如等式6所述:



其中IC為集電極電流,IS為飽和電流,VT為熱電壓。

如果兩個晶體管的集電極電流差異較大,則VBE不會完全彼此抵消。等式7闡述了晶體管兩個VBE之間的差異:



簡化為等式8:



其中X為兩個集電極電流的比率。

如您所見,如果兩個集電極電流相同,則VBE將完全抵消。在圖4所示的配置中,設(shè)定RS的值時,需要確保集電極電流之間的差異不是太大。在本例中,我選擇的RS為10kΩ,RX為50kΩ。VBE的增量也會隨著VT而變化,它會隨著溫度變化而發(fā)生。

方法3:改良版威爾遜電流鏡

使用電流鏡匹配集電極電流是一個非常有效的方法。對此,相比常規(guī)的電流鏡,威爾遜電流鏡是一個更好的選擇。圖5是威爾遜電流鏡中使用的原理圖。


5.使用威爾遜電流鏡部署

本方法中,有另外一個BJT,基極連接至Q1的集電極。Q3的發(fā)射極連接至電流鏡的VBE結(jié)點(diǎn)。程控電流經(jīng)Q3晶體管的集電極流至FB引腳。

現(xiàn)在可暫時忽略電阻器RB,等式9按照以下方式計(jì)算導(dǎo)入本設(shè)置中的參考電流:



等式10得出了導(dǎo)入電流與參考電流的比率。



在晶體管的增量() 為較大的值時,可以看到威爾遜電流鏡的精度遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)電流鏡。

威爾遜電流鏡不會完全消除對VBE的依賴性。但可以通過一個簡單的方法避開。將電阻器RB從源VX連接至電流鏡基極,如圖5所示,形成一個添加至參考電流IX的電流。將等式9改寫為等式11:



等式12選擇RB:



等式13:



等式13中的VBE組件完全抵消,得出等式14:



等式14說明,導(dǎo)入FB節(jié)點(diǎn)的電流僅基于程控電壓,不受VBE影響。

無論使用哪一種方法,都可以借助少數(shù)幾個組件為反相電軌創(chuàng)建一個程控輸出電壓。電路的復(fù)雜性依具體的系統(tǒng)要求而異。對于要求極高保真度的應(yīng)用,威爾遜電流鏡是最佳的解決方案,因?yàn)樗梢缘贸雠c程控電壓最接近的響應(yīng)。

參考文獻(xiàn)

LMZM33606數(shù)據(jù)表

了解有關(guān)TI Power的更多信息:

1.        參閱《電源設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》

全書內(nèi)容豐富、完整,囊括了從電路元器件,電源基本電路拓?fù)洌鞣N控制策略,磁元件設(shè)計(jì),輔助電源電路,電磁噪聲處理,電源故障管理,實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì),數(shù)字功率控制以及電源結(jié)構(gòu)這些涉及電源幾乎所有方方面面的完整內(nèi)容。

作者簡介:羅伯特A曼馬諾( Robert A. Mammano) 是電力電子領(lǐng)域的先驅(qū),在模擬電源控制領(lǐng)域,擁有超過50年的經(jīng)驗(yàn)。他還被稱為"PWM控制器行業(yè)之父",于1974年設(shè)計(jì)了第一個完全集成的PWM控制器IC SG1524。曼馬諾于1957年在科羅拉多大學(xué)獲得物理學(xué)學(xué)位,從此開始了他的職業(yè)生涯。

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