意法半導體的 PWD13F60系統封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠為工業電機驅控制器、燈具鎮流器、電源、功率轉換器和逆變器廠家節省物料成本和電路板空間。
不僅比采用分立器件設計的類似全橋電路節省電路板空間60%，PWD13F60還能提升最終應用的功率密度。市場上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產品，而PWD13F60則集成四顆功率MOSFET，是一個能效特別高的替代方案。與這些產品不同，只用一個PWD13F60即可完成一個單相全橋設計，這讓內部MOSFET管沒有一個被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。 利用意法半導體的高壓 BCD6s-Offline制造工藝，PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅動器和上橋臂驅動自舉二極管，這樣設計的好處是簡化電路板設計，精簡組裝過程，節省外部元器件。柵驅動器經過優化改進，取得了高開關可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能，有助于進一步降低占位面積，同時確保系統安全。 PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓，配置靈活性和設計簡易性得到最大限度提升。此外，新系統封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號，連接微控制器(MCU)、數字處理器(DSP)或霍爾傳感器十分容易。 PWD13F60即日上市，采用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝。 產品詳情訪問www.st.com/pwd13f60-pr |
