ST今日發(fā)布首批超低功耗8位MCU

發(fā)布時(shí)間：2009-9-14 13:48 發(fā)布者：老郭

關(guān)鍵詞： MCU , 功耗

本帖最后由老郭于 2009-9-14 16:41 編輯

今天上午去參加ST的新聞發(fā)布會(huì)，ST宣布首批超低功耗8位MCU開(kāi)始量產(chǎn)。這是一個(gè)業(yè)界比較重要的消息。慢慢整理一下。先看新聞稿:

2009年9月14日，意法半導(dǎo)體宣布，首批整合其高性能8位架構(gòu)和最近發(fā)布的超低功耗創(chuàng)新技術(shù)的8位微控制器開(kāi)始量產(chǎn)。以節(jié)省運(yùn)行和待機(jī)功耗為特色，STM8L系列下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線，共計(jì)26款產(chǎn)品，涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。

設(shè)計(jì)工程師利用全新的STM8L系列可提高終端產(chǎn)品的性能和功能，同時(shí)還能滿(mǎn)足以市場(chǎng)為導(dǎo)向的需求，例如，終端用戶(hù)對(duì)節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品的需求，便攜設(shè)備、各種醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、電子計(jì)量設(shè)備、感應(yīng)或安保設(shè)備對(duì)電池使用周期的要求。設(shè)計(jì)人員將選擇STM8L這類(lèi)超低功耗的微控制器，以符合低功耗產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，如“能源之星”、IEA的“1W節(jié)能計(jì)劃”或歐盟的EuP法令。

“意法半導(dǎo)體在技術(shù)創(chuàng)新上投入了大量資金，發(fā)展出支持STM8L新產(chǎn)品線的超低功耗平臺(tái)，并凸顯我們?cè)谶@個(gè)高速增長(zhǎng)的應(yīng)用領(lǐng)域滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員需求的承諾，” 意法半導(dǎo)體微控制器產(chǎn)品部總經(jīng)理Jim Nicholas表示，“這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)結(jié)合STM8架構(gòu)的高性能，構(gòu)成一個(gè)無(wú)懈可擊的價(jià)值主張，使設(shè)備廠商能夠設(shè)計(jì)技術(shù)先進(jìn)、有成本競(jìng)爭(zhēng)力的終端產(chǎn)品。”

這三條STM8L產(chǎn)品線都基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺(tái)，這個(gè)平臺(tái)采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程。獨(dú)一無(wú)二的技術(shù)優(yōu)勢(shì)包括在1.65V到3.6V的整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)達(dá)到CPU最大工作頻率，發(fā)揮CPU的全部性能。此外，由于采用一個(gè)片上穩(wěn)壓器，功耗與Vdd電壓無(wú)關(guān)，所以具有更高的設(shè)計(jì)靈活性，并有助于簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

其它創(chuàng)新特性包括低功耗嵌入式非易失性存儲(chǔ)器和多個(gè)電源管理模式，包括5.4μA低功耗運(yùn)行模式、3.3μA低功耗待機(jī)模式、1μA主動(dòng)停止模式（實(shí)時(shí)時(shí)鐘運(yùn)行）和350nA停止模式。STM8L可以在4μs內(nèi)從停止模式喚醒，支持頻繁使用最低功耗模式。低功耗外設(shè)，包括小于1μA的實(shí)時(shí)時(shí)鐘和自動(dòng)喚醒（AWU）模塊，有助于進(jìn)一步節(jié)省電能。總之，這個(gè)平臺(tái)可將動(dòng)態(tài)電流消耗降到150μA/MHz。

這個(gè)低功耗平臺(tái)的另一個(gè)特性：確保集成的模擬電路在低至1.8V工作電壓仍可操作，在整個(gè)Vdd電壓范圍內(nèi)最大化微控制器的功能。

開(kāi)發(fā)工程師還將獲益于STM8L全系列器件在引腳和軟件上的兼容性，以及與意法半導(dǎo)體的STM32系列32位微控制器共用外設(shè)接口所帶來(lái)的設(shè)計(jì)靈活性與擴(kuò)展性。

STM8L101系列是STM8L超低功耗8位微控制器的入門(mén)級(jí)產(chǎn)品，特色是在一個(gè)超小的封裝內(nèi)取得很高的集成度，閃存密度高達(dá)8KB，有20引腳、28引腳和32引腳封裝可選。

第二個(gè)產(chǎn)品線STM8L15x目前正在向客戶(hù)提供測(cè)試樣片，增加32KB片上閃存、最大達(dá)2KB 的SRAM、外部晶振/時(shí)鐘功能、增強(qiáng)型復(fù)位以及直接存儲(chǔ)存取（DMA）支持等功能。STM8L15x還增多個(gè)外設(shè)接口，包括一個(gè)電機(jī)控制計(jì)時(shí)器、更多的模擬功能、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和快速模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換功能。片上EEPROM具有真正的讀寫(xiě)同步（RWW）功能，省去在閃存內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜且昂貴的仿真測(cè)試。

第三個(gè)產(chǎn)品線STM8L152多集成一個(gè)液晶顯示器控制單元。STM8L151和STM8L152兩條產(chǎn)品線擬定于2010年初開(kāi)始量產(chǎn)。

詳細(xì)技術(shù)信息

超低功耗技術(shù)平臺(tái)是意法半導(dǎo)體針對(duì)8位和32位微控制器開(kāi)發(fā)的，發(fā)布于2009年6月。該技術(shù)平臺(tái)基于意法半導(dǎo)體獨(dú)有的針對(duì)超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程，除現(xiàn)有的節(jié)能型微控制器設(shè)計(jì)技術(shù)外，平臺(tái)還集成創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲(chǔ)器和模擬電路。獨(dú)有的優(yōu)點(diǎn)包括在整個(gè)電源電壓（Vdd）范圍內(nèi)支持最高的工作頻率，功耗高低與Vdd電壓無(wú)關(guān)，為開(kāi)發(fā)人員提供了更高的設(shè)計(jì)的靈活性，并有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

此外，配備多種低功耗模式使STM8L微控制器能夠?qū)崿F(xiàn)從完全關(guān)閉到超低頻率下持續(xù)監(jiān)視的不同運(yùn)行要求的應(yīng)用。外設(shè)時(shí)鐘門(mén)控可進(jìn)一步降低整體運(yùn)行和等待兩種模式的電流消耗。

超低功耗平臺(tái)還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)先進(jìn)而靈活的支持多個(gè)內(nèi)外時(shí)鐘源的時(shí)鐘系統(tǒng)。這個(gè)特性讓開(kāi)發(fā)人員實(shí)時(shí)優(yōu)化頻率和時(shí)鐘源，盡可能以最低的功耗滿(mǎn)足應(yīng)用需求。

當(dāng)需要經(jīng)常或頻繁使用系統(tǒng)喚醒功能時(shí)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘和自動(dòng)喚醒（AWU）單元小于1μA、最低功耗模式喚醒少于4μs等特性可確保高能效運(yùn)行。片上集成的系統(tǒng)安全保護(hù)特性也是為超低功耗優(yōu)化的，包括上電復(fù)位（POR/PDR）以及一個(gè)可選的激活欠壓復(fù)位（BOR）。

STM8L151和STM8L152系列的片上DMA特性使外設(shè)可以獨(dú)立于內(nèi)核工作。通過(guò)關(guān)閉閃存和CPU，只讓必要的外設(shè)處于運(yùn)行狀態(tài)，可以節(jié)省更多的電能。

所有的STM8L產(chǎn)品還受益于意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的8位STM8微控制器架構(gòu)。16位索引寄存器、16MB線性地址空間，和以16MHz頻率實(shí)現(xiàn)16 CISC MIPS處理速度的高每指令周期效率等特性，是STM8架構(gòu)出色的性能。

所有STM8L產(chǎn)品都可在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)工作。此外，意法半導(dǎo)體還提供最高工作溫度+125°C的耐高溫

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網(wǎng)友評(píng)論

老郭 發(fā)表于 2009-9-14 13:52:25

早些時(shí)候的新聞稿：

ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺(tái)，采用130nm制程的創(chuàng)新平臺(tái)將拓寬STM8S和STM32F產(chǎn)品線

2009年6月15日，意法半導(dǎo)體發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺(tái)的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺(tái)將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿(mǎn)足不斷升級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求，延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備的工作時(shí)間。滿(mǎn)足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計(jì)和制程技術(shù)，進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。

新平臺(tái)采用130nm制程，意法半導(dǎo)體對(duì)這個(gè)平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時(shí)選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲(chǔ)器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電源管理架構(gòu)。這些改進(jìn)技術(shù)合在一起可大幅降低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗，讓未來(lái)的微控制器比目前市場(chǎng)上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進(jìn)步。

意法半導(dǎo)體將在2009年推出首批基于這個(gè)超低功耗平臺(tái)的全新微控制器系列STM8L和STM32L，這兩款產(chǎn)品將開(kāi)啟8位的STM8S和32位的STM32F兩個(gè)超低功耗產(chǎn)品線，閃存動(dòng)態(tài)功耗降至150μA/MHz，停止模式功耗最低300nA，且可以同時(shí)保存SRAM和寄存器的內(nèi)容。STM8L產(chǎn)品的首批樣品已經(jīng)開(kāi)始交付主要OEM客戶(hù)測(cè)試。

在這個(gè)新的技術(shù)平臺(tái)內(nèi)，優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小，可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外，創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲(chǔ)器可降低應(yīng)用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進(jìn)的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V，使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過(guò)采用低工作電壓內(nèi)核和4μs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法，電源管理架構(gòu)可在全部模式下節(jié)省電能。最后，專(zhuān)用數(shù)字庫(kù)和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設(shè)計(jì)流程將有助于意法半導(dǎo)體擴(kuò)大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍，為市場(chǎng)快速推出新器件。

其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器，包括報(bào)警系統(tǒng)、無(wú)線傳感器、觸感模塊和便攜設(shè)備，如個(gè)人保健設(shè)備、手持游戲機(jī)、遙控器、GPS設(shè)備、個(gè)人運(yùn)動(dòng)設(shè)備和手機(jī)配件。

STM8S和STM32F系列產(chǎn)品可解決開(kāi)發(fā)人員對(duì)高效處理器架構(gòu)的需求，具有低成本、低功耗和高設(shè)計(jì)靈活性的優(yōu)點(diǎn)。這兩個(gè)系列產(chǎn)品均使用先進(jìn)的處理器內(nèi)核，如STM32F系列的32-位ARM Cortex-M3處理器。為提高設(shè)計(jì)靈活性和軟件再用性，兩個(gè)系列產(chǎn)品共用標(biāo)準(zhǔn)的外設(shè)功能。每個(gè)系列中的現(xiàn)有產(chǎn)品的引腳相互兼容，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓設(shè)計(jì)人員根據(jù)每一款設(shè)計(jì)，更加自由地優(yōu)化引腳數(shù)量和外設(shè)。兩個(gè)系列產(chǎn)品都充分利用了現(xiàn)有的節(jié)能技術(shù)，包括可節(jié)省電能的睡眠模式和待機(jī)模式、可降低時(shí)鐘周期浪費(fèi)的快速喚醒時(shí)間以及低電壓工作。

老郭 發(fā)表于 2009-9-14 14:23:44